ZHCSGL8E March 2006 – December 2015 OPA2333 , OPA333
PRODUCTION DATA.
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
电压 | 电源 | 7 | V | |
信号输入端子(2) | –0.3 | (V+) + 0.3 | ||
电流 | 信号输入端子(2) | -1 | 1 | mA |
输出短路(3) | 连续 | |||
运行结温,TJ | 150 | °C | ||
运行温度,TA | –40 | 150 | ||
贮存温度,Tstg | -65 | 150 |
值 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|
V(ESD) | 静电放电 | 人体模型 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) | ±4000 | V |
充电器件模式 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) | ±1000 |
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
电源电压,VS | 1.8 | 5.5 | V | |
额定温度范围 | -40 | 125 | °C |
热指标(1) | OPA333 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|---|
D (SOIC) | DBV (SOT) | DCK (SC70) | |||
8 引脚 | 5 引脚 | 5 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 140.1 | 220.8 | 298.4 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 89.8 | 97.5 | 65.4 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 80.6 | 61.7 | 97.1 | °C/W |
ψJT | 结至顶部的特征参数 | 28.7 | 7.6 | 0.8 | °C/W |
ψJB | 结至电路板的特征参数 | 80.1 | 61.1 | 95.5 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | — | — | — | °C/W |
热指标(1) | OPA2333 | 单位 | |||
---|---|---|---|---|---|
D (SOIC) | DGK (VSSOP) | DRB (VSON) | |||
8 引脚 | 8 引脚 | 8 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 124.0 | 180.3 | 46.7 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 73.7 | 48.1 | 26.3 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 64.4 | 100.9 | 22.2 | °C/W |
ψJT | 结至顶部的特征参数 | 18.0 | 2.4 | 1.6 | °C/W |
ψJB | 结至电路板的特征参数 | 63.9 | 99.3 | 22.3 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | — | — | 10.3 | °C/W |
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
失调电压 | ||||||
VOS | 输入失调电压 | VS = 5V | 2 | 10 | μV | |
dVOS/dT | 输入失调电压漂移 | TA = –40°C 至 125°C | 0.02 | 0.05 | μV/°C | |
PSRR | 电源抑制比 | VS = 1.8V 至 5.5V,TA = –40°C 至 125°C | 1 | 5 | μV/V | |
长期稳定性(1) | 请参阅说明 (1) | µV | ||||
通道分离,直流 | 0.1 | μV/V | ||||
输入偏置电流 | ||||||
IB | 输入偏置电流 | TA = 25°C | ±70 | ±200 | pA | |
TA = –40°C 至 125°C | ±150 | |||||
IOS | 输入失调电流 | ±140 | ±400 | |||
噪声 | ||||||
输入电压噪声 | f = 0.01Hz 至 1Hz | 0.3 | μVPP | |||
f = 0.1Hz 至 10Hz | 1.1 | |||||
in | 输入电流噪声 | f = 10Hz | 100 | fA/√Hz | ||
输入电压 | ||||||
VCM | 共模电压范围 | (V–) – 0.1 | (V+)+0.1 | V | ||
CMRR | 共模抑制比 | (V–) – 0.1V < VCM < (V+) + 0.1V, TA = –40°C 至 125°C |
106 | 130 | dB | |
输入电容 | ||||||
差分 | 2 | pF | ||||
共模 | 4 | pF | ||||
开环增益 | ||||||
AOL | 开环电压增益 | (V–) + 100mV < VO < (V+) – 100mV, RL = 10kΩ,TA = –40°C 至 125°C |
106 | 130 | dB | |
频率响应 | ||||||
GBW | 增益带宽积 | CL = 100pF | 350 | kHz | ||
SR | 压摆率 | G = +1 | 0.16 | V/μs | ||
输出 | ||||||
相对于电源轨的电压输出摆幅 | RL= 10kΩ | 30 | 50 | mV | ||
RL = 10kΩ,TA = –40°C 至 125°C | 70 | |||||
ISC | 短路电流 | ±5 | mA | |||
CL | 电容负载驱动 | 请参阅 典型特性 | ||||
开环输出阻抗 | f = 350kHz,IO = 0A | 2 | kΩ | |||
电源 | ||||||
VS | 额定电压范围 | 1.8 | 5.5 | V | ||
IQ | 静态电流(每个放大器) | IO = 0A | 17 | 25 | μA | |
TA = –40°C 至 125°C | 28 | |||||
开通时间 | VS = +5V | 100 | μs | |||
温度 | ||||||
TA | 额定温度范围 | -40 | 125 | °C | ||
工作范围 | -40 | 150 | °C | |||
Tstg | 贮存温度 | -65 | 150 | °C |
标题 | 图 |
---|---|
失调电压产生分布 | Figure 1 |
失调电压漂移产生分布 | Figure 2 |
开环增益与频率间的关系 | Figure 3 |
共模抑制比与频率间的关系 | Figure 4 |
电源抑制比与频率间的关系 | Figure 5 |
输出电压摆幅与输出电流间的关系 | Figure 6 |
输入偏置电流与共模电压间的关系 | Figure 7 |
输入偏置电流与温度间的关系 | Figure 8 |
静态电流与温度间的关系 | Figure 9 |
大信号阶跃响应 | Figure 10 |
小信号阶跃响应 | Figure 11 |
正过压恢复 | Figure 12 |
负过压恢复 | Figure 13 |
建立时间与闭环增益间的关系 | Figure 14 |
小信号过冲与负载电容间的关系 | Figure 15 |
0.1Hz 至 10Hz 噪声 | Figure 16 |
电流和电压噪声频谱密度与频率间的关系 | Figure 17 |