ZHCSFZ7C February 2017 – February 2023 PGA460-Q1
PRODUCTION DATA
互补低侧驱动器可与外部 PMOS FET 配合使用,为换能器提供单端直接激励。在此配置中,通过设置 CURR_LIM_P1 寄存器中的 DIS_CL 位来禁用电流限制功能,可在 RDSON 模式下使用内部 FET。
在此模式下,可使用一个额外的死区时间特性,通过配置 PULSE_DT 位来消除外部 PMOS FET 和内部低侧 FET 之间的击穿电流。低侧 FET 的突发周期保持不变;但是,死区时间编程值会缩短停用时间。#X7104 显示了这种情况。