REF30xx 是串联、CMOS、精度带隙电压基准。Topic Link Label8.2 展示了它的基本拓扑。晶体管 Q₁ 和 Q₂ 实现了偏置，使得 Q₁ 的电流密度大于 Q₂ 的电流密度。两个基极发射极电压之差 (Vbe₁ - Vbe₂) 具有正温度系数，并被迫通过电阻 R₁。此电压被放大并被添加到具有负系数的 Q₂ 的基极发射极电压。获得的输出电压实际上与温度无关。带隙电压的弯曲（如图 7-3 所示）是 Q₂ 基极发射极电压的轻微非线性温度系数所致。