REF50xxI、REF50xxAI

• 尽可能将电源旁路电容器放置靠近电源引脚和接地引脚的位置。该旁路电容器的建议值为 1μF 至 10μF。如有必要，可以添加额外的去耦电容以补偿噪声或高阻抗电源。
• 将 1μF 噪声滤除电容器放置在 NR 引脚和接地之间。
• 必须使用 1μF 至 50μF 电容器对输出进行去耦。为输出电容器串联电阻器是可选操作。要实现更出色的噪声性能，建议输出电容器上的 ESR 为 1Ω 至 1.5Ω。
• 可以在输出和接地之间并联高频、1μF 电容器来滤除噪声，并充当数据转换器进行负载切换。

REF50xxEI

• 电源旁路电容器的位置应尽可能靠近电源引脚和接地引脚。该旁路电容器的建议值为 0.1μF 至 10μF。如有必要，可以添加额外的去耦电容以补偿噪声或高阻抗电源。最小的电容器必须放置在最靠近器件的位置
• 将 0.1μF 至 1μF 1 级噪声滤除电容器放置在 NR 引脚和接地之间
• 必须使用 1µF 至 100µF 低 ESR（最大 1Ω）电容器对输出进行去耦。