ZHCSTY5B November   2023  – June 2024 REF54

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性 REF54250
    6. 6.6  电气特性 REF54300
    7. 6.7  电气特性 REF54410
    8. 6.8  电气特性 REF54450
    9. 6.9  电气特性 REF54500
    10. 6.10 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 温漂
    2. 7.2 长期稳定性
    3. 7.3 噪声性能
      1. 7.3.1 1/f 噪声
      2. 7.3.2 宽带噪声
    4. 7.4 热迟滞
    5. 7.5 焊接热漂移
    6. 7.6 功率损耗
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 EN 引脚
      2. 8.3.2 NR 引脚
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 基本基准电压连接
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 高精度 ADC 连接基准
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.4.1 布局指南

  • 电源旁路电容器的位置应尽可能靠近电源引脚和接地引脚。该旁路电容器的建议值为 0.1μF 至 10μF。如有必要，可以添加额外的去耦电容以补偿噪声或高阻抗电源。最小的电容器必须放置在最靠近器件的位置。
  • 必须使用 1µF 至 100µF 低 ESR（最大 1Ω）电容器对输出进行去耦。
  • 在 NR 引脚和接地之间放置一个 1μF 到 100μF 低漏电流噪声滤除电容器。
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