为了在效率方面优化 EMI，SN6507 设计为允许电阻器 (R_SR) 选择功率 FET 开启的驱动器的强度。如下面的图 8-7 所示，开关边沿的压摆率可通过该电阻器进行控制。通过压摆率控制滚降谐波可以消除许多应用中对屏蔽和共模扼流圈的需求。

压摆率控制的 EMI 优势可能会导致效率略微降低和峰值电流 (I_{SW_SR}) 略微增大。当该功能减慢栅极电容的充电和放电时，FET 的延长转换时间会增加每个开关周期期间的转换损耗。这会增加功率耗散，从而降低效率并加剧热问题。这将限制压摆率的降低幅度。另一项成本是每个周期的峰值电流会增加。这是因为缓慢的边沿减少了导通时间 (I_{ON_SR})，最终峰值电流 (I_{SW_SR}) 将增加，以在每个周期向负载提供相同的平均电流。

可以通过 R_SR 对不同 V_IN 下的压摆率进行编程。较高的 R_SR 值会将 SN6507 配置为在 V_CC 电平上具有较慢的压摆率，而较低的 R_SR 值会将 SN6507 配置为具有较快的压摆率。下面的表 8-2 列出了 12V 和 24V 情况下 V_CC 与压摆率之间的关系。由于压摆率与开关频率无关，因此必须注意，在高频率下，压摆率应该足够快，以最大限度地向负载提供输出功率。如果 SR 引脚悬空，压摆率将被设置为默认值。如果 SR 引脚短接至 GND，则被视为故障情况，器件将停止开关。