1 特性

采用具有 0.5mm 间距的超小型 0.64mm² 封装 (DPW)
低静态功耗：
I_CC = 0.9μA（最大值）
低动态功耗：
电压为 3.3V 时，C_pd = 4.3pF（典型值）
低输入电容：C_i = 1.5pF（典型值）
低噪声：过冲和下冲
< V_CC 的 10%
I_off 支持带电插入、局部关断模式和后驱动保护
施密特触发操作可在输入端实现慢速输入转换和更佳的开关噪声抗扰度（V_hys=250mV，这是 3.3V 时的典型值）
0.8V 至 3.6V 的宽工作 V_CC 范围
针对 3.3V 运行进行了优化
3.6V 耐压 I/O 支持混合模式的信号操作
3.3V 时，t_pd = 4.3ns（最大值）
适用于点到点应用
闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求
ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
- 2000V 人体放电模型
  （A114-B，II 类）
- 1000V 充电器件模型 (C101)
简化版原理图