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ZHCSUL5 January 2024 SN74LV4T125-EP

PRODUCTION DATA

在 V_CC 至 GND 之间添加一个去耦电容器。此电容器需要在物理上靠近器件，在电气上靠近 V_CC 和 GND 引脚。布局部分中展示了示例布局。
确保输出端的容性负载 ≤ 50pF。这不是硬性限制；但是，根据设计，该限制将优化性能。这可以通过从 SN74LV4T125-EP 向一个或多个接收器件提供适当大小的短布线来实现。
确保输出端的电阻负载大于 (V_CC/I_O(max)) Ω。这可防止超出绝对最大额定值 中的最大输出电流。大多数 CMOS 输入具有以 MΩ 为单位的电阻负载；远大于之前计算的最小值。
逻辑门很少关注热问题；然而，可以使用应用报告 CMOS 功耗与 Cpd 计算 中提供的步骤计算功耗和热增量。