ZHCSSH1 june 2023 SN74LV6T17
PRODUCTION DATA
此器件包括具有施密特触发架构的输入。这些输入为高阻抗，通常建模为从输入到接地的电阻器并与输入电容并联，如电气特性 表中所示。最坏情况下的电阻是根据绝对最大额定值 表中给出的最大输入电压和电气特性 表中给出的最大输入漏电流，使用欧姆定律 (R = V ÷ I) 计算得出的。
施密特触发输入架构可提供由电气特性 表中的 ΔVT 定义的迟滞，因而此器件能够很好地耐受慢速或高噪声输入。虽然输入的驱动速度可能比标准 CMOS 输入慢得多，但仍建议正确端接未使用的输入。用缓慢的转换信号驱动输入会增加设备的动态电流消耗。有关施密特触发输入的更多信息，请参阅了解施密特触发。