ZHCST30D September   2023  – March 2024 SN74LV8T594-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 热性能信息
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 计时特性
    7.     13
    8. 5.7 开关特性
    9. 5.8 噪声特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 器件功能模式
  9. 8 特性说明
    1. 8.1 平衡 CMOS 推挽式输出
    2. 8.2 具有已知上电状态的锁存逻辑
    3. 8.3 LVxT 增强输入电压
    4. 8.4 钳位二极管结构
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
        1. 9.2.1.1 电源注意事项
        2. 9.2.1.2 输入注意事项
        3. 9.2.1.3 输出注意事项
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • PW|16
  • BQB|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3 器件功能模式

功能表列出了 SN74LV8T594-Q1 的功能模式。

表 7-1 功能表
输入(1) 功能
SER SRCLK SRCLR RCLK RCLR
X X X X L 输出寄存器清零；所有值均设置为低电平状态。
X X L X X 移位寄存器清零；所有值均设置为低电平状态。
L ↑ H X X 内部移位寄存器的第一个位设置为低电平状态。
每个后续寄存器存储来自前一个寄存器的数据。
H ↑ H X X 内部移位寄存器的第一个位设置为高电平状态。
每个后续寄存器存储来自前一个寄存器的数据。
X L、H、↓ H ↑ X 将内部移位寄存器中的值加载到输出寄存器
内部移位寄存器值不会修改。
L ↑(2) H ↑(2) H 内部移位寄存器中的值被加载到输出寄存器中，然后内部移位寄存器的第一个位设置为低电平状态。
每个后续移位寄存器存储来自前一个寄存器的数据。
H ↑(2) H ↑(2) H 内部移位寄存器中的值被加载到输出寄存器中，然后内部移位寄存器的第一个位设置为高电平状态。
每个后续移位寄存器存储来自前一个寄存器的数据。
(1) H = 高电压电平，L = 低电压电平，X = 不用考虑
(2) 对于这种运行模式，SRCLK 和 RCLK 直接连接在一起。
表 7-2 锁存逻辑上电状态
锁存器或寄存器 上电状态(1)
内部移位寄存器 (A — H) L
输出寄存器 (QA — QH) L
(1) 有关提供已知上电状态的要求，请参阅节 8.2
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