ZHCSTB6B October 2023 – May 2024 SN74LVC3G97-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
此器件包括具有施密特触发架构的输入。这些输入为高阻抗，通常建模为从输入到地之间、与输入电容（电容值在电气特性 表中规定）并联的电阻器。最坏情况下的电阻是使用绝对最大额定值 表中给出的最大输入电压和电气特性 表中给出的最大输入漏电流，根据欧姆定律 (R = V ÷ I) 计算得出的。
施密特触发输入架构可提供由电气特性 表中的 ΔVT 定义的迟滞，因而此器件能够很好地耐受慢速或高噪声输入。虽然输入的驱动速度可能比标准 CMOS 输入慢得多，但仍建议正确端接未使用的输入。使用缓慢的转换信号驱动输入会增加器件的动态电流消耗。有关施密特触发输入的其他信息，请参阅了解施密特触发。