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ZHCSX58 September 2024 TAS2320

ADVANCE INFORMATION

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RBG|26
- MPQF809

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsx58_oa

9.1 布局指南

针对承载大电流的信号使用宽引线，并尽可能避免使用过孔。如果无法避免使用过孔，则应添加多个过孔，以实现低寄生电感和高电流能力。这些包括用于 PVDD、VBAT、VDD、PGND、GND、OUT_P 和 OUT_N 的引线。
PGND 和 BGND 信号应直接连接并短接到电路板的接地平面，从而更大限度地减小寄生电感。在连接到接地平面之前，应避免在接地引脚之间（例如 GND 和 PGND 共模布线）产生共模电感。
敏感低压信号应避免在 OUT_P、OUT_N、SW、等高开关信号布线之间产生耦合。
尽可能地减小 OUT_P、OUT_N、SW、等高开关线路与接地/静态节点之间的电容。较大的电容会导致效率下降。OUT_P 和 OUT_N 之间的耦合也会导致效率降低。
去耦电容器应靠近器件放置。建议为去耦电容器使用尽可能小的封装尺寸，从而使器件发挥最佳性能。建议 DREG、VDD、IOVDD、VBAT（C4 电容器）、PVDD 低 ESL（C6 电容器）具有 0201 外壳尺寸或更小。应避免在去耦电容器和器件引脚之间使用过孔，或者也可以添加多个过孔来尽可能减小寄生电感。
所有去耦电容器的接地端子都应通过多个接地过孔牢固地连接到接地平面。应尽可能地减小电容器接地与器件接地引脚之间的接地布线环路。
对于 VDD Y 桥功能，从主机 PMIC 到器件 VDD 的布线应采用宽电源平面布线，并尽可能减小布线寄生电感。
对于 GREG-PVDD（C9 电容器）之间的电容器，电容器的 PVDD 侧不应直接连接到 PVDD 去耦电容器（C6、C7 和 C8），而应尽可能靠近器件 PVDD 引脚连接。