ZHCSP98B February 2022 – March 2023 TAS2780
PRODUCTION DATA
对于低于 3.4V 的 VBAT1S 电源，功率 FET 可以在更高的负载电流下进入饱和状态，因此，连接到 PVDD 的 FET 进入热失控状态会导致器件损坏。
为了防止损坏，需要根据内部 SAR ADC 测得的 VBAT1S 电平来调整 OCP 限制。下表显示了会调整 OCP 的阈值以及用于对这些阈值进行编程的寄存器设置。
检测到 VBAT1S 电源电平低于 3.4V 之后，在对寄存器编程之前，器件需要置于软件关断模式或处于空闲模式。
| VBAT1S 范围 | PVDD OCP 电平 | 簿/页/寄存器 - 新设置 |
|---|---|---|
| VBAT1S ≥ 3.4V | 6.6A | 不适用 |
| 3.1V ≤ VBAT1S < 3.4V | 6A | B_0/P_0/R_6 - 01 |
| 2.9V ≤ VBAT1S < 3.1V | 5.3A | B_0/P_0/R_6 - 02 |
| 2.7V ≤ VBAT1S < 2.9V | 4.3A | B_0/P_FD/R_3A - 7D |
| B_0/P_FD/R_3B - 请参阅节 10.7 | ||
| B_0/P_FD/R_5C - C0 |
仅在 VBAT1S 由外部供电的电源模式下才需要对上述 OCP 阈值进行控制，同时，D 类输出打开 PVDD（PWR_MODE0，PWR_MODE1）。