ZHCSVW9 March 2024 TDA4AEN-Q1 , TDA4VEN-Q1
ADVANCE INFORMATION
表 6-49、表 6-28、表 6-29 和图 6-27 展示了 CPSW3G MDIO 的时序条件、要求和开关特性。
参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|
输入条件 | ||||
SRI | 输入压摆率 | 0.9 | 3.6 | V/ns |
输出条件 | ||||
CL | 输出负载电容 | 10 | 470 | pF |
PCB 连接要求 | ||||
td(Trace Delay) | 每条引线的传播延迟 | 0 | 5 | ns |
td(Trace Mismatch Delay) | 所有引线之间的传播延迟不匹配 | 1 | ns |
编号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
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MDIO1 | tsu(MDIO_MDC) | 建立时间,在 MDIO[x]_MDC 高电平之前 MDIO[x]_MDIO 有效 | 45 | ns | |
MDIO2 | th(MDC_MDIO) | 保持时间,在 MDIO[x]_MDC 高电平之后 MDIO[x]_MDIO 有效 | 0 | ns |
编号 | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
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MDIO3 | tc(MDC) | 周期时间,MDIO[x]_MDC | 400 | ns | |
MDIO4 | tw(MDCH) | 脉冲持续时间,MDIO[x]_MDC 高电平 | 160 | ns | |
MDIO5 | tw(MDCL) | 脉冲持续时间,MDIO[x]_MDC 低电平 | 160 | ns | |
MDIO7 | td(MDC_MDIO) | 延迟时间,MDIO[x]_MDC 低电平到 MDIO[x]_MDIO 有效 | -10 | 10 | ns |