TDC1000-Q1 的模拟电路设计为由介于 2.7V 和 5.5V 之间的输入电源电压供电。TI 建议在尽可能靠近 VDD 引脚的位置放置一个 100nF 的接地陶瓷旁路电容器。此外，建议使用容值大于 1µF 的电解电容器或钽电容器。大容量电容器不需要靠近 TDC1000-Q1，可以靠近电压源端子或位于为 TDC1000-Q1 供电的稳压器的输出端。

TDC1000-Q1 的 IO 电路设计为由介于 1.8V 和 5.5V 之间的输入电源电压供电。IO 电源电压 (V_IO) 可以低于模拟电压电源 (V_DD)，但 IO 电压不应超过模拟电压。TI 还建议在尽可能靠近 VIO 引脚的位置放置一个 100nF 的接地陶瓷旁路电容器。如果为 VIO 使用单独的电源或稳压器，则建议使用一个容值大于 1µF 的附加电解电容器或钽电容器。

在某些情况下，额外的 10µF 旁路电容器可能会进一步降低电源噪声。