ZHCSVL2 June   2024 TDP2044

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 直流电气特性
    6. 5.6 高速电气特性
    7. 5.7 SMBus/I2C 时序特性
    8. 5.8 典型特性
    9. 5.9 典型抖动特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 线性均衡
      2. 6.3.2 平坦增益
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 工作模式
      2. 6.4.2 待机模式
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 引脚模式
        1. 6.5.1.1 五电平控制输入
      2. 6.5.2 SMBus/I2C 寄存器控制接口
        1. 6.5.2.1 共享寄存器
        2. 6.5.2.2 通道寄存器
      3. 6.5.3 SMBus/I 2 C 主模式配置(EEPROM 自加载)
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 仅 USB Type-C DP 源应用
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

布局指南

在设计系统实施布局时,请参考以下指南:

  1. 将去耦电容器尽可能靠近 VCC 引脚放置。如果电路板设计允许,建议将去耦电容器放置在器件正下方。
  2. 确保高速差分信号 TXnP/TXnN 和 RXnP/RXnN 紧密耦合、实现偏差匹配并通过阻抗控制。
  3. 高速差分信号上应尽可能避免过孔。当必须使用过孔时,请务必谨慎操作,通过在大多数层或所有层之间进行转换或背钻孔来更大限度地减少过孔残桩。
  4. 可以在高速差分信号焊盘下方使用 GND 消除(但不是必需的),以通过抵消焊盘电容来提高信号完整性。
  5. 将 GND 过孔放置在器件正下方,以将器件所连的 GND 平面与其他层的 GND 平面相连。此举进一步提升了器件与电路板之间的导热性能。
  6. 有关器件散热焊盘设计建议,请参阅机械制图部分中的焊盘图案示例。