THVD24xxV-EP 收发器的总线引脚包括针对 ±30kV HBM 和 ±12kV IEC 61000-4-2 接触放电的片上 ESD 保护。国际电工委员会 (IEC) ESD 测试远比 HBM ESD 测试严格得多。IEC 模型的充电电容 C_(S) 高出 50%，放电电阻 R_(D) 低出 78%，所产生的放电电流明显高于 HBM 模型。如 IEC 61000-4-2 标准中所述，接触放电是首选的瞬态保护测试方法。

图 8-3 HBM 模型和 IEC ESD 模型的电流比较（括号中为 HBM 值）

IEC ESD 保护的片上实现可显著提高设备的稳健性。人体接触连接器和电缆时，会发生常见的放电事件。设计人员可以选择针对持续时间较长的瞬变（通常称为浪涌瞬变）实施保护。

EFT 通常是由继电器触点回跳或电感负载中断引起的。浪涌瞬变通常由雷击（直接雷击或感应电压和电流的间接雷击）或电力系统切换（包括负载变化和短路切换）引起。这些瞬变通常发生在工业环境中，例如工厂自动化和电网系统。

图 8-4 将 EFT 和浪涌瞬态的脉冲功率与 IEC ESD 瞬态功率进行了比较。左图展示了 0.5kV 浪涌瞬态和 4kV EFT 瞬态的相对脉冲功率，相比之下，左下角的 10kV ESD 瞬态不是很明显。500V 浪涌瞬态代表工业和过程自动化中工厂环境中可能发生的事件。

右图展示了 6kV 浪涌瞬变相对于相同 0.5kV 浪涌瞬变的脉冲功率。6kV 浪涌瞬变最有可能发生在发电和电网系统中。

图 8-4 ESD、EFT 和浪涌瞬态的功耗比较

对于浪涌瞬变，高能量内容的特点是脉冲持续时间长和脉冲功率衰减缓慢。转储到收发器内部保护单元的瞬变电能被转换成热能，从而加热并破坏保护单元，进而损坏收发器。图 8-5 展示了单个 ESD、EFT、浪涌瞬变以及合规性测试期间常用的 EFT 脉冲序列的瞬态能量差异很大。

图 8-5 瞬态能量的比较