ZHCSIL7A July 2018 – November 2018 TL431LI , TL432LI
PRODUCTION DATA.
Figure 26 显示了简化版本的反馈网络。输出电压的精度取决于 TL431LI 的调节电压精度。Equation 2 显示了简化的 VOUT 计算方式,但该公式未考虑将会导致输出发生偏离的误差。
主要的误差来源是 Error|Vref 和 Error|Iref。Error|Vref 主要由会影响 TL431LI 的内部带隙电压基准的误差组成。这包括来自初始精度、温度漂移、基准电压变化与阴极电压变化之比以及动态阻抗的误差。TL431LI 的优势体现在它具有低温度漂移 VI(dev),因此,与典型的 TL431LI 器件相比,它可以在整个温度范围内实现更加精确的 Vref。Equation 3 显示了具有初始精度和温度漂移的简化最坏情 Vref。
Figure 26 中的 Error|Iref 取决于 Iref 和 II(dev) 以及 R1。TL431LI 具有改进的 Iref 和 II(dev),因此支持提高电阻器 R1 的值,从而节省电力。通常,光耦合器反馈设计要求在进行 VOUT 计算时将 Iref 考虑在内,但该误差来自从 Iref 的最大值到典型值的偏差。除此之外,II(dev) 是 Iref 电流的温度偏差,它将会影响进入 TL431LI 的总基准电流。Equation 4 显示了Figure 26 中 TL431LI 的 VOUT,其中包括改进的 Iref 和 II(dev)。该 VOUT 公式假设电阻器 R1 和 R2 具有 0.5% 的精度容差。
比较有无误差下计算得到的 VOUT,预期最坏情况最大误差为 2.1%,符合 3% 的误差目标。