ZHCSJ63 December   2018 TLV1805

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      采用 P 沟道 MOSFET 的过压保护
      2.      采用 P 沟道 MOSFET 的反向电流和过压保护
  4. 修订历史记录
  5. 说明 (续)
  6. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  7. Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Switching Characteristics
    7. 7.7 Typical Characteristics
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Rail to Rail Inputs
      2. 8.3.2 Power On Reset
      3. 8.3.3 High Power Push-Pull Output
      4. 8.3.4 Shutdown Function
      5. 8.3.5 Internal Hysteresis
    4. 8.4 Device Functional Modes
      1. 8.4.1 External Hysteresis
        1. 8.4.1.1 Inverting Comparator With Hysteresis
        2. 8.4.1.2 Noninverting Comparator With Hysteresis
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curve
      4. 9.2.4 Reverse Current Protection Using MOSFET and TLV1805
        1. 9.2.4.1 Minimum Reverse Current
        2. 9.2.4.2 N-Channel Reverse Current Protection Circuit
          1. 9.2.4.2.1 N-Channel Oscillator Circuit
      5. 9.2.5 P-Channel Reverse Current Protection Circuit
      6. 9.2.6 P-Channel Reverse Current Protection With Overvotlage Protection
      7. 9.2.7 ORing MOSFET Controller
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 社区资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

静电放电警告

esds-image

ESD 可能会损坏该集成电路。米6体育平台手机版_好二三四 (TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理措施和安装程序 , 可能会损坏集成电路。

ESD 的损坏小至导致微小的性能降级 , 大至整个器件故障。 精密的集成电路可能更容易受到损坏 , 这是因为非常细微的参数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。