ZHCSIP4B May 2004 – December 2016 TLV2371-Q1 , TLV2372-Q1 , TLV2374-Q1
PRODUCTION DATA.
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
TLV237x-Q1 输入级同时包含 NMOS 和 PMOS 两个差分晶体管对,它们配合工作可实现轨至轨输入运行。两个晶体管对之间的过渡点可参见Figure 1 至Figure 3 中对应的 2.7V、5V 和 15V 电源。当共模输入电压接近正电源轨时,输入对从 PMOS 差分对转换为 NMOS 差分对。此转换发生在距离正轨大约 1.35V 时,由于 NMOS 和 PMOS 对之间不同的器件特性会导致失调电压变化。如果器件的输入信号大到足以在两轨之间摆动,此转换可降低共模抑制比 (CMRR)。如果输入信号没有在两轨之间摆动,建议对只有一个输入对处于活动状态的区域内的信号施加偏压。此区域对应于Figure 1 至Figure 3 中失调电压在输入范围内略微变化且可以实现 CMRR 的区域。在采用 2.7V 电源电压供电时,影响最为显著。