ZHCSEH4A September   2015  – December 2015 TLV27L2-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Selection Guide
  6. 6 Pin Configuration and Functions
  7. 7 Specifications
    1. 7.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 7.2 ESD Ratings
    3. 7.3 Recommended Operating Conditions
    4. 7.4 Thermal Information
    5. 7.5 Electrical Characteristics
    6. 7.6 Typical Characteristics
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Offset Voltage
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 General Configurations
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 9.2.2.1 Shunt Resistor (RSHUNT)
        2. 9.2.2.2 Operational Amplifiers
        3. 9.2.2.3 Reference Voltage Resistors (R5-R6)
        4. 9.2.2.4 Difference Amplifier Gain Setting Resistors (R1-R4)
      3. 9.2.3 Application Curve
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
    3. 11.3 General Power Dissipation Considerations
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 社区资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 静电放电警告
    5. 12.5 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

12 器件和文档支持

12.1 文档支持

12.1.1 相关文档

请参阅如下相关文档：

  • 《OPAx348-Q1 1MHz 45μA CMOS 轨到轨运算放大器》，SBOS465
  • 《OPAx333-Q1 1.8V 微功耗 CMOS 运算放大器零漂移系列》，SBOS522
  • 《OPA2314-Q1 3MHz、低功耗、低噪声、RRIO、1.8V CMOS 运算放大器》，SLOS896
  • 《OPAx376-Q1 低噪声、低静态电流、高精度运算放大器 e-trim™ 系列》，SBOS549
  • 《TLV226x-Q1 高级 LinCMOS™ CMOS 运算放大器》，SGLS193

12.2 社区资源

下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。

    TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在 e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
    设计支持 TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。

12.3 商标

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

12.4 静电放电警告

esds-image

这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损伤。

12.5 Glossary

SLYZ022 — TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.
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