ZHCSEE6 December 2015 TLV2333 , TLV333 , TLV4333
PRODUCTION DATA.
7 技术规格
7.1 绝对最大额定值
在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）(1)| 最小值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| 电源电压 | VS = (V+) – (V–) | 7 | V | |
| 信号输入引脚(2) | 电压 | (V–) – 0.3 | (V+) + 0.3 | V |
| 电流 | -10 | 10 | mA | |
| 输出短路(3) | 连续 | |||
| 温度 | 工作温度 | –40 | 150 | °C |
| 结温 | 150 | |||
| 贮存温度，Tstg | -65 | 150 | ||
(1) 超出绝对最大额定值下所列值的应力可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下的器件的功能性操作以及在超出推荐的操作条件下的任何其它操作，在此并未说明。在绝对最大额定值条件下长时间运行会影响器件可靠性。
(2) 输入引脚被二极管钳制至电源轨。对于摆幅超过电源轨 0.3V 的输入信号，必须将其电流限定为不超过 10mA 或者更低。
(3) 对地短路，每个封装对应一个放大器。
7.2 ESD 额定值
| 值 | 单位 | |||
|---|---|---|---|---|
| V(ESD) | 静电放电 | 人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) | ±4000 | V |
| 充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) | ±1000 | |||
(1) JEDEC 文档 JEP155 规定：500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 规定：250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
7.3 建议的工作条件
在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）| 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| VS | 电源电压 | 1.8 | 5.5 | V | |
| 额定温度范围 | -40 | 125 | °C | ||
7.4 热性能信息：TLV333
| 热指标(1) | TLV333 | 单位 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) |
DBV (SOT23) |
DCK (SC70) |
|||
| 8 引脚 | 5 引脚 | 5 引脚 | |||
| RθJA | 结至环境热阻 | 140.1 | 220.8 | 298.4 | °C/W |
| RθJC(top) | 结至外壳（顶部）热阻 | 89.8 | 97.5 | 65.4 | °C/W |
| RθJB | 结至电路板热阻 | 80.6 | 61.7 | 97.1 | °C/W |
| ψJT | 结至顶部的特征参数 | 28.7 | 7.6 | 0.8 | °C/W |
| ψJB | 结至电路板的特征参数 | 80.1 | 61.1 | 95.5 | °C/W |
| RθJC(bot) | 结至外壳（底部）热阻 | 不適用 | 不適用 | 不適用 | °C/W |
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。
7.5 热性能信息：TLV2333
| 热指标(1) | TLV2333 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) |
DGK (VSSOP) |
|||
| 8 引脚 | 8 引脚 | |||
| RθJA | 结至环境热阻 | 124.0 | 180.3 | °C/W |
| RθJC(top) | 结至外壳（顶部）热阻 | 73.7 | 48.1 | °C/W |
| RθJB | 结至电路板热阻 | 64.4 | 100.9 | °C/W |
| ψJT | 结至顶部的特征参数 | 18.0 | 2.4 | °C/W |
| ψJB | 结至电路板的特征参数 | 63.9 | 99.3 | °C/W |
| RθJC(bot) | 结至外壳（底部）热阻 | 不適用 | 不適用 | °C/W |
7.6 热性能信息：TLV4333
| 热指标(1) | TLV4333 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| D (SOIC) |
PW (TSSOP) |
|||
| 14 引脚 | 14 引脚 | |||
| RθJA | 结至环境热阻 | 83.8 | 120.8 | °C/W |
| RθJC(top) | 结至外壳（顶部）热阻 | 70.7 | 34.3 | °C/W |
| RθJB | 结至电路板热阻 | 59.5 | 62.8 | °C/W |
| ψJT | 结至顶部的特征参数 | 11.6 | 1.0 | °C/W |
| ψJB | 结至电路板的特征参数 | 37.7 | 56.5 | °C/W |
| RθJC(bot) | 结至外壳（底部）热阻 | 不適用 | 不適用 | °C/W |
7.7 电气特性：VS = 1.8V 至 5.5V
在 TA = 25°C，RL = 10kΩ 且连接至 1/2 Vs，VCM = VOUT = 1/2 Vs 的条件下测得（除非另有说明）| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 失调电压 | ||||||
| VOS | 输入失调电压(2) | VS = 5V | 2 | 15 | µV | |
| dVOS/dT | VOS 温漂 | TA = –40°C 至 +125°C | 0.02 | µV/°C | ||
| PSRR | 电源抑制比 | VS = 1.8V 至 5.5V | 1 | 8 | µV/V | |
| 长期稳定性(1) | 1(1) | µV | ||||
| 通道分离，直流 | 0.1 | µV/V | ||||
| 输入偏置电流 | ||||||
| IB | 输入偏置电流 | ±70 | pA | |||
| 全温度范围内输入偏置电流 | TA = –40°C 至 +125°C | ±150 | pA | |||
| IOS | 输入失调电流 | ±140 | pA | |||
| 噪声 | ||||||
| en | 输入电压噪声密度 | f = 1kHz | 55 | nV/√Hz | ||
| 输入电压噪声 | f = 0.01Hz 至 1Hz | 0.3 | µVPP | |||
| f = 0.1Hz 至 10Hz | 1.1 | |||||
| in | 输入电流噪声密度 | f = 10Hz | 100 | fA/√Hz | ||
| 输入电压范围 | ||||||
| VCM | 共模电压范围 | (V–) – 0.1 | (V+)+0.1 | V | ||
| CMRR | 共模抑制比 | (V–) – 0.1V < VCM < (V+) + 0.1V | 102 | 115 | dB | |
| 输入电容 | ||||||
| 差模 | 2 | pF | ||||
| 共模 | 4 | |||||
| 开环增益 | ||||||
| AOL | 开环电压增益 | (V–) + 0.1V < VO < (V+) – 0.1V | 102 | 130 | dB | |
| 频率响应 | ||||||
| GBW | 增益带宽积 | CL = 100pF | 350 | kHz | ||
| SR | 压摆率 | G = 1 | 0.16 | V/µs | ||
| 输出 | ||||||
| 相对于电源轨的电源轨的电压输出摆幅 | TA = –40°C 至 +125°C | 30 | 70 | mV | ||
| ISC | 短路电流 | ±5 | mA | |||
| CL | 容性负载驱动 | 请参阅 典型特性 | ||||
| ZO | 开环输出阻抗 | f = 350kHz，IO = 0mA | 2 | kΩ | ||
| 电源 | ||||||
| VS | 额定电压范围 | 1.8 | 5.5 | V | ||
| IQ | 静态电流（每个放大器） | IO = 0mA，TA = –40°C 至 +125°C | 17 | 28 | µA | |
| 开通时间 | VS = 5V | 100 | µs | |||
| 温度范围 | ||||||
| 额定温度范围 | -40 | 125 | °C | |||
| 工作范围 | -40 | 150 | °C | |||
| 储存温度 | -65 | 150 | °C | |||
(1) 在 150°C 下 300 小时的寿命试验表明，随机分布变化值约为 1µV。
(2) 取决于具体的设计和特性。所有放大器均在 25°C 下经过了生产筛查，从而减少了缺陷单元的数量。
7.8 典型特性
在 TA = 25°C，CL = 0pF，RL = 10kΩ 且连接至 1/2 Vs，VCM = VOUT = 1/2 Vs 的条件下测得（除非另有说明）
| G = 1，RL = 10kΩ |
| 4V 阶跃 |
| G = 1，RL = 10kΩ |
