ZHCSFM6 October 2016 TLV2376 , TLV376 , TLV4376
PRODUCTION DATA.
TLVx376 系列是采用 e-trim™ 的新一代低噪声运算放大器,可为客户提供卓越的直流精度和交流性能。低噪声、轨至轨输入和输出、低偏移以及低静态电流的特性使得这些器件适用于各种高精度和移动式 应用的理想选择。此外,该系列器件拥有较宽的供电范围和出色的 PSRR,因此 TLVx376 非常合适 无需 调节的电池供电应用。
TLVx376 系列精密放大器提供出色的直流性能和交流性能。TLVx376 采用单电源供电,能够驱动大电容负载,具有宽输入共模电压范围,而且非常适合驱动逐次逼近型寄存器 (SAR) 模数转换器 (ADC) 以及具有更高分辨率的 24 位转换器。所有器件都采用了内部 ESD 保护。TLVx376 系列为需要节省空间的应用 提供 多种符合行业标准的封装。
TLVx376 系列放大器的工作电压范围为 2.2V 至 5.5V (±1.1V 至 ±2.75V)。多种技术规格适用于 –40°C 至 +125°C 的温度范围。典型特性部分提供的参数可能随工作电压或温度的不同出现显著变化。
TLVx376 系列放大器可用于 需要驱动 电容负载的应用。与所有运算放大器一样,在某些特定情况下,TLVx376 可能会变得不稳定,并产生振荡。当需确定放大器在运行中能否保持稳定时,要考虑运算放大器在特定电路中的配置、布局布线、增益和输出负载等因素。与在更高噪声增益下工作的放大器相比,采用单位增益 (+1V/V) 缓冲器配置驱动电容负载的运算放大器更容易出现不稳定的情况。电容负载与运算放大器输出电阻相结合后,在反馈环路内产生一个使相位裕度降级的极点。当电容负载增加时,相位裕度的降级会减小。
TLVx376 系列运算放大器利用 TI 的 e-trim™ 技术制造而成。每个放大器在生产中都经过微调,从而尽可能减小与输入失调电压和输入失调电压漂移相关的误差。e-trim™ 技术是 TI 专有的一种在晶圆测试或最终测试阶段微调内部器件参数的方法。
采用单位增益配置的 TLVx376 可直接驱动高达 250pF 的纯电容负载。增加增益可增强放大器驱动更大电容负载的能力;请参阅Figure 16。在单位增益配置条件下,插入一个与输出端串联的小电阻器(10Ω 至 20Ω) RS 即可增强电容负载驱动能力,如Figure 22 中所示。此电阻器可显著减少振铃,并保持纯电容负载的直流性能。然而,如果有一个与电容负载并联的电阻负载,则会生成一个分压器,从而在输出端引入增益误差并略微减小输出摆幅。引入的误差与 RS / RL 的比率成正比,在低输出电流中通常可忽略不计。
TLVx376 系列的输入共模电压范围在电源轨基础上向外扩展了 100mV。放大器的偏移电压非常低,大约 (V–) 到 (V+) – 1V,如Figure 23 中所示。当共模电压超过 (V+) –1V 时,偏移电压增加。共模抑制的额定电压范围为 (V–) 至 (V+) – 1.3V。
Table 1 列出了在共模电压范围内变化的参数。
参数 | (V–) - 0.1V < VCM < (V+) – 1.3V | (V+) – 1.3V < VCM < (V+) + 0.1V | 单位 | |
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典型值 | 典型值 | |||
失调电压 | ||||
VOS | 输入失调电压 | 40 | 2500 | μV |
dVOS/dT | 失调电压与温度间的关系 | 1 | 25 | μV/°C |
开环增益 | ||||
AOL | 开环电压增益 | 126 | 96 | dB |
输入电压范围 | ||||
CMRR | 共模抑制比 | 88 | 43 | dB |
频率响应 | ||||
GBW | 增益带宽积 | 5.5 | 5.5 | MHz |
PM | 相位裕度 | 72 | 72 | 度 |
SR | 压摆率,G = 1 | 2 | 1.1 | V/μs |
噪声 | ||||
en | 输入电压噪声密度, f = 1kHz |
8 | 135 | nV/√Hz |
in | 输入电流噪声,f = 1kHz | 2 | 47 | fA/√Hz |
TLVx376 系列具有单功能模式,可在电源电压大于 2.2V (±1.1V) 的条件下工作。TLVx376 系列的最大电源电压为 5.5V (±2.75V)。