ZHCSFM6 October   2016 TLV2376 , TLV376 , TLV4376

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
  6. 技术规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议的工作条件
    4. 6.4 热性能信息:TLV376
    5. 6.5 热性能信息:TLV2376
    6. 6.6 热性能信息:TLV4376
    7. 6.7 电气特性
    8. 6.8 典型特性
  7. 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1 工作电压
      2. 7.3.2 电容负载和稳定性
      3. 7.3.3 输入失调电压和输入失调电压漂移
      4. 7.3.4 共模电压范围
      5. 7.3.5 输入和 ESD 保护
    4. 7.4 器件功能模式
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 工作特性
      2. 8.1.2 基本放大器配置
      3. 8.1.3 有源滤波
      4. 8.1.4 驱动模数转换器
      5. 8.1.5 幻象供电麦克风
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计流程
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局准则
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 开发支持
        1. 11.1.1.1 TINA-TI(免费软件下载)
        2. 11.1.1.2 TI 高精度设计
        3. 11.1.1.3 WEBENCH® 滤波器设计器
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 相关链接
    4. 11.4 接收文档更新通知
    5. 11.5 社区资源
    6. 11.6 商标
    7. 11.7 静电放电警告
    8. 11.8 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

详细 说明

概述

TLVx376 系列是采用 e-trim™ 的新一代低噪声运算放大器,可为客户提供卓越的直流精度和交流性能。低噪声、轨至轨输入和输出、低偏移以及低静态电流的特性使得这些器件适用于各种高精度和移动式 应用的理想选择。此外,该系列器件拥有较宽的供电范围和出色的 PSRR,因此 TLVx376 非常合适 无需 调节的电池供电应用。

功能框图

TLV376 TLV2376 TLV4376 fbd_bos755.gif

特性 说明

TLVx376 系列精密放大器提供出色的直流性能和交流性能。TLVx376 采用单电源供电,能够驱动大电容负载,具有宽输入共模电压范围,而且非常适合驱动逐次逼近型寄存器 (SAR) 模数转换器 (ADC) 以及具有更高分辨率的 24 位转换器。所有器件都采用了内部 ESD 保护。TLVx376 系列为需要节省空间的应用 提供 多种符合行业标准的封装。

工作电压

TLVx376 系列放大器的工作电压范围为 2.2V 至 5.5V (±1.1V 至 ±2.75V)。多种技术规格适用于 –40°C 至 +125°C 的温度范围。典型特性部分提供的参数可能随工作电压或温度的不同出现显著变化。

电容负载和稳定性

TLVx376 系列放大器可用于 需要驱动 电容负载的应用。与所有运算放大器一样,在某些特定情况下,TLVx376 可能会变得不稳定,并产生振荡。当需确定放大器在运行中能否保持稳定时,要考虑运算放大器在特定电路中的配置、布局布线、增益和输出负载等因素。与在更高噪声增益下工作的放大器相比,采用单位增益 (+1V/V) 缓冲器配置驱动电容负载的运算放大器更容易出现不稳定的情况。电容负载与运算放大器输出电阻相结合后,在反馈环路内产生一个使相位裕度降级的极点。当电容负载增加时,相位裕度的降级会减小。

输入失调电压和输入失调电压漂移

TLVx376 系列运算放大器利用 TI 的 e-trim™ 技术制造而成。每个放大器在生产中都经过微调,从而尽可能减小与输入失调电压和输入失调电压漂移相关的误差。e-trim™ 技术是 TI 专有的一种在晶圆测试或最终测试阶段微调内部器件参数的方法。

采用单位增益配置的 TLVx376 可直接驱动高达 250pF 的纯电容负载。增加增益可增强放大器驱动更大电容负载的能力;请参阅Figure 16。在单位增益配置条件下,插入一个与输出端串联的小电阻器(10Ω 至 20Ω) RS 即可增强电容负载驱动能力,如Figure 22 中所示。此电阻器可显著减少振铃,并保持纯电容负载的直流性能。然而,如果有一个与电容负载并联的电阻负载,则会生成一个分压器,从而在输出端引入增益误差并略微减小输出摆幅。引入的误差与 RS / RL 的比率成正比,在低输出电流中通常可忽略不计。

TLV376 TLV2376 TLV4376 ai_cap_load_drive_bos755.gif Figure 22. 增强电容负载驱动能力

共模电压范围

TLVx376 系列的输入共模电压范围在电源轨基础上向外扩展了 100mV。放大器的偏移电压非常低,大约 (V–) 到 (V+) – 1V,如Figure 23 中所示。当共模电压超过 (V+) –1V 时,偏移电压增加。共模抑制的额定电压范围为 (V–) 至 (V+) – 1.3V。

TLV376 TLV2376 TLV4376 ai_offset_cm_volt_bos406.gif Figure 23. 失调和共模电压

Table 1 列出了在共模电压范围内变化的参数。

Table 1. 在共模电压范围内变化的参数

参数 (V–) - 0.1V < VCM < (V+) – 1.3V (V+) – 1.3V < VCM < (V+) + 0.1V 单位
典型值 典型值
失调电压
VOS 输入失调电压 40 2500 μV
dVOS/dT 失调电压与温度间的关系 1 25 μV/°C
开环增益
AOL 开环电压增益 126 96 dB
输入电压范围
CMRR 共模抑制比 88 43 dB
频率响应
GBW 增益带宽积 5.5 5.5 MHz
PM 相位裕度 72 72
SR 压摆率,G = 1 2 1.1 V/μs
噪声
en 输入电压噪声密度,
f = 1kHz
8 135 nV/√Hz
in 输入电流噪声,f = 1kHz 2 47 fA/√Hz

输入和 ESD 保护

TLVx376 系列在所有引脚上均整合了内部静电放电 (ESD) 保护电路。在输入和输出引脚的情况下,这种保护主要包括连接在输入和电源引脚间的导流二极管。只要电流如绝对最大额定值 表中所述限制为 10mA,这些 ESD 保护二极管还能提供电路内的输入过驱保护。Figure 24 显示了如何通过将串联输入电阻器添加到被驱动的输入端来限制输入电流。添加的电阻器会增加放大器输入端的热噪声。在对噪声敏感的 应用中,此电阻器的值必须尽可能的低。

TLV376 TLV2376 TLV4376 ai_input_cur_bos755.gif Figure 24. 输入电流保护

器件功能模式

TLVx376 系列具有单功能模式,可在电源电压大于 2.2V (±1.1V) 的条件下工作。TLVx376 系列的最大电源电压为 5.5V (±2.75V)。