ZHCSF25 May 2016 TLV521
PRODUCTION DATA.
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
相对于 V– 的任何引脚 | −0.3 | 6 | V | |
IN+、IN–、OUT 引脚 | V– – 0.3V | V+ + 0.3V | V | |
V+、V–、OUT 引脚 | 40 | mA | ||
差分输入电压(VIN+ - VIN–) | -300 | 300 | mV | |
结温 | –40 | 150 | °C | |
安装温度 | 红外或对流(30 秒) | 260 | °C | |
波峰铅焊温度(4 秒) | 260 | °C | ||
存储温度,Tstg | −65 | 150 | °C |
值 | 单位 | |||
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V(ESD) | 静电放电 | 人体放电模式 (HBM),符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) | ±2000 | V |
充电器件模式 (CDM),符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) | ±1000 | |||
机器模型 | ±200 |
最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|
温度范围 | −40 | 125 | °C |
电源电压 (VS = V+ - V−) | 1.7 | 5.5 | V |
热指标(1) | TLV521 | 单位 | |
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DCK (SC70) | |||
5 引脚 | |||
RθJA | 结至环境热阻 | 269.9 | °C/W |
RθJC(top) | 结至外壳(顶部)热阻 | 93.7 | °C/W |
RθJB | 结至电路板热阻 | 48.8 | °C/W |
ψJT | 结至顶部的特征参数 | 2 | °C/W |
ψJB | 结至电路板的特征参数 | 47.9 | °C/W |
RθJC(bot) | 结至外壳(底部)热阻 | 不适用 | °C/W |
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
VOS | 输入失调电压 | VCM = 0.3V | -3 | 0.1 | 3 | mV |
VCM = 3V | -3 | 0.1 | 3 | |||
TCVOS | 输入失调电压漂移 | ±1.5 | μV/°C | |||
IBIAS | 输入偏置电流 | 1 | pA | |||
IOS | 输入失调电流 | 50 | fA | |||
CMRR | 共模抑制比 | 0V ≤ VCM ≤ 3.3V | 70 | 90 | dB | |
0V ≤ VCM ≤ 2.2V | 100 | |||||
PSRR | 电源抑制比 | V+ = 1.8V 至 3.3V;VCM = 0.3V | 80 | 100 | dB | |
CMVR | 共模电压范围 | CMRR ≥ 70dB | 0 | 3.3 | V | |
AVOL | 大信号电压增益 | VO = 0.5V 至 2.8V RL = 100kΩ 且连接至 V+/2 |
80 | 110 | dB | |
VO | 高输出摆幅 | RL = 100kΩ 且连接至 V+/2 VIN(差分)= 100mV |
3 | 50 | mV(与任一轨的差值) | |
低输出摆幅 | RL = 100kΩ 且连接至 V+/2 VIN(差分)= −100mV |
2 | 50 | |||
IO | 输出电流 | 拉电流,VO 至 V−
VIN(差分)= 100mV |
11 | mA | ||
灌电流,VO 至 V+
VIN(差分)= −100mV |
12 | |||||
IS | 电源电流 | VCM = 0.3V | 350 | 500 | nA |
参数 | 测试条件 | 最小值 (2) |
典型值 (3) |
最大值 (2) |
单位 | ||
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GBW | 增益带宽积 | CL = 20pF,RL = 100kΩ | 6 | kHz | |||
SR | 转换率 | AV = +1, VIN = 0V 至 3.3V |
下降沿 | 2.9 | V/ms | ||
上升沿 | 2.5 | ||||||
θ m | 相补角 | CL = 20pF,RL = 100kΩ | 73 | 度 | |||
Gm | 增益裕量 | CL = 20pF,RL = 100kΩ | 19 | dB | |||
en | 输入参考电压噪声密度 | f = 100Hz | 300 | nV/√Hz | |||
输入参考电压噪声 | 0.1Hz 至 10Hz | 22 | μVPP | ||||
In | 输入参考电流噪声 | f = 100Hz | 100 | fA/√Hz | |||
EMIRR | EMI 抑制比,IN+ 和 IN−(4) | VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP), f = 400MHz |
121 | dB | |||
VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP), f = 900MHz |
121 | ||||||
VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP), f = 1800MHz |
124 | ||||||
VRF_PEAK = 100mVP (−20dBP), f = 2400MHz |
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