ZHCSF46D June   2016  – May 2017 TLV6001 , TLV6002 , TLV6004

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用范围
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议的工作条件
    4. 7.4 热性能信息：TLV6001
    5. 7.5 热性能信息：TLV6002
    6. 7.6 热性能信息：TLV6004
    7. 7.7 电气特性：VS= 1.8V 至 5V（±0.9V 至 ±2.75V）
    8. 7.8 典型特性：图形列表
    9. 7.9 典型特性
  8. 8 详细 说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能框图
    3. 8.3 特性 说明
      1. 8.3.1 工作电压
      2. 8.3.2 轨至轨输入
      3. 8.3.3 轨至轨输出
      4. 8.3.4 共模抑制比 (CMRR)
      5. 8.3.5 容性负载和稳定性
      6. 8.3.6 EMI 敏感性和输入滤波
    4. 8.4 器件功能模式
    5. 8.5 输入和 ESD 保护
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计流程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 系统示例
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局准则
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 相关链接
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 社区资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 Glossary
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7 规格

7.1 绝对最大额定值

在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
电压 电源电压 7 V
信号输入引脚，电压(2) (V–) – 0.5 (V+) + 0.5 V
电流 信号输入引脚，电流(2) -10 10 mA
输出短路(3) 连续 mA
温度 工作温度，TA –40 150 °C
结温，TJ 150 °C
贮存温度，Tstg -65 150 °C
(1) 超出绝对最大额定值下列出的应力值可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下的器件的功能性操作以及在超出推荐的操作条件下的任何其它操作，在此并未说明。在绝对最大额定值条件下长时间运行会影响器件可靠性。
(2) 输入引脚被二极管钳制至电源轨。摆幅超过电源轨 0.5V 的输入信号的电流必须限制在 10mA 或者更少。
(3) 对地短路，每个封装对应一个放大器。

7.2 ESD 额定值

值 单位
V(ESD) 静电放电 人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1) ±4000 V
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2) ±1000
(1) JEDEC 文档 JEP155 规定：500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 规定：250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。

7.3 建议的工作条件

在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）
最小值 最大值 单位
VS 电源电压 1.8 5.5 V
TA 额定温度范围 -40 125 °C

7.4 热性能信息：TLV6001

热指标(1) TLV6001 单位
DBV (SOT-23) DCK (SC70)
5 引脚 5 引脚
RθJA 结至环境热阻 228.5 281.4 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 99.1 91.6 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 54.6 59.6 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 7.7 1.5 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 53.8 58.8 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 不适用 °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。

7.5 热性能信息：TLV6002

热指标(1) TLV6002 单位
D (SOIC) DGK (VSSOP)
8 引脚 8 引脚
RθJA 结至环境热阻 138.4 191.2 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 89.5 61.9 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 78.6 111.9 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 29.9 5.1 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 78.1 110.2 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 不适用 °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。

7.6 热性能信息：TLV6004

热指标(1) TLV6004 单位
PW (TSSOP)
14 引脚
RθJA 结至环境热阻 121.0 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 49.4 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 62.8 °C/W
ψJT 结至顶部的特征参数 5.9 °C/W
ψJB 结至电路板的特征参数 62.2 °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 不适用 °C/W
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。

7.7 电气特性：VS= 1.8V 至 5V（±0.9V 至 ±2.75V）(1)


TA = 25°C 时，RL = 10kΩ 连接至 VS / 2，并且 VCM = VOUT = VS / 2，除非另有说明。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入失调电压 0.75 4.5 mV
dVOS/dT VOS 温漂 TA = –40°C 至 125°C 2 μV/°C
PSRR 电源抑制比 86 dB
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 TA = 25°C ±1.0 pA
IOS 输入偏移电流 ±1.0 pA
输入阻抗
ZID 差分 100 || 1 MΩ || pF
ZIC 共模 1 || 5 1013Ω || pF
输入电压范围
VCM 共模电压范围 无相位反向，轨到轨输入 (V-)-0.2 (V+)+0.2 V
CMRR 共模抑制比 VCM = –0.2V 至 5.7V 60 76 dB
开环增益
AOL 开环电压增益 0.3V < VO < (V+) – 0.3V，RL = 2kΩ 90 110
相位裕量 VS=5.0V，G=+1 65 度
输出
VO 自电源轨的电压输出摆幅 RL = 100kΩ 5 mV
RL = 2kΩ 75 100 mV
ISC 短路电流 ±15 mA
RO 开环输出阻抗 2300 Ω
频率响应
GBW 增益带宽积 1 MHz
SR 压摆率 0.5 V/µs
tS 稳定时间 到 0.1%，VS=5.0V，2V 阶跃，G=+1 时的稳定时间 5 μs
噪声
输入电压噪声（峰峰值） f=0.1Hz 至 10Hz 6 μVPP
en 输入电压噪声密度 f = 1kHz 28 nV/√Hz
in 输入电流噪声密度 f=1kHz 5 fA/√Hz
电源
VS 额定电压范围 1.8 (±0.9) 5.5 (±2.75) V
IQ 每个放大器的静态电流 IO = 0mA，VS = 5.0V 75 100 µA
开通时间 VS=0V 至 5V，达到 90% IQ水平 10 µs
(1) 除非另外注明，否则具有规格上限或下限的参数都在 25ºC 下经过 100% 生产检测。过热限值基于特性和统计分析。

7.8 典型特性：图形列表

Table 1. 图形列表

标题 图表
开环增益和相位与频率间的关系 Figure 1
静态电流与电源电压间的关系 Figure 2
失调电压产生分布 Figure 3
失调电压与共模电压间的关系（最大电源电压） Figure 4
CMRR 和 PSRR 与频率间的关系 (RTI) Figure 5
0.1Hz 至 10Hz 输入电压噪声 (5.5V) Figure 6
输入电压噪声频谱密度与频率间的关系 (1.8V，5.5V) Figure 7
输入偏置和偏移电流与温度间的关系 Figure 8
开环输出阻抗与频率间的关系 Figure 9
最大输出电压与频率和电源电压间的关系 Figure 10
输出电压摆幅与输出电流间的关系（过热） Figure 11
G=1，-1，10 时闭环增益与频率间的关系 (1.8V) Figure 12
小信号阶跃响应，同相 (1.8V) Figure 13
小信号阶跃响应，同相 (5.5V) Figure 14
大信号阶跃响应，同相 (1.8V) Figure 15
大信号阶跃响应，同相 (5.5V) Figure 16
无相位反转 Figure 17
EMIRR IN+ 与频率间的关系 Figure 18

7.9 典型特性

TA = 25°C 时，VS = 5V，RL = 10kΩ 连接至 VS / 2，并且 VCM = VOUT = VS / 2，除非另有说明。
TLV6001 TLV6002 TLV6004 tc_open_loop_gain_phase-fqcy_bos779.gif
Figure 1. 开环增益和相位与频率间的关系
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C005_SBOS649.png
Figure 3. 失调电压产生分布
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C009_SBOS649.png
Figure 5. CMRR 和 PSRR 与频率间的关系
（以输入为参考）
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C012_SBOS649.png
Figure 7. 输入电压噪声频谱密度与频率间的关系
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C015_SBOS649.png
Figure 9. 开环输出阻抗与频率间的关系
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C017_SBOS649.png
Figure 11. 输出电压摆幅与输出电流间的关系（不同温度下）
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C022_SBOS649.png
Figure 13. 小信号脉冲响应
（最小供电电压）
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C024_SBOS649.png
Figure 15. 大信号脉冲响应
（最小供电电压）
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C028_SBOS649.png
Figure 17. 无相位反转
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C003_SBOS649.png
Figure 2. 静态电流与电源电压间的关系
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C007_SBOS649.png
Figure 4. 失调电压与共模电压间的关系
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C011_SBOS649.png
Figure 6. 0.1Hz 至 10Hz 输入电压噪声
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C014_SBOS649.png
Figure 8. 输入偏置和偏移电流与温度间的关系
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C016_SBOS649.png
Figure 10. 最大输出电压与频率和电源电压间的关系
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C018_SBOS649.png
Figure 12. 闭环增益与频率间的关系（最小供电电压）
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C023_SBOS649.png
Figure 14. 小信号脉冲响应
（最大供电电压）
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C025_SBOS649.png
Figure 16. 大信号脉冲响应
（最大供电电压）
TLV6001 TLV6002 TLV6004 C033_SBOS649.png
Figure 18. EMIRR IN+ 与频率间的关系
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