ZHCSRS8E February 2023 – April 2024 TLV709
PRODUCTION DATA
尽管不需要输入电容器来实现稳定性,但良好的模拟设计实践是将电容器从 IN 连接到 GND。该电容可抵消电抗性输入源,并改善瞬态响应、输入纹波和 PSRR。如果源阻抗大于 0.5Ω,请使用输入电容器。如果预计会有较大且快速的上升时间负载或线路瞬变,请使用更高容值的电容。此外,如果器件距离输入电源几英寸,请使用容值更高的电容器。
通过使用更大的输出电容器来提升动态器件性能。TLV709 需要一个 1μF 或更大的输出电容器(0.47μF 或更大电容)来实现稳定性,并需要一个介于 0.001Ω 和 1Ω 之间的等效串联电阻 (ESR)。为了获得出色瞬态性能,请使用 X5R 和 X7R 类型的陶瓷电容器,因为这些电容器的值和 ESR 随温度的变化极小。为特定应用选择电容器时,请注意电容器的直流偏置特性。较高的输出电压会导致电容器显著降额。为确保稳定性,请在建议运行条件 表中指定的范围内使用输出电容器。