ZHCSRS8E February   2023  – April 2024 TLV709

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 宽电源电压
      2. 6.3.2 低静态电流
      3. 6.3.3 压降电压 (VDO)
      4. 6.3.4 电流限值
      5. 6.3.5 零泄漏控制电路
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常工作模式
      2. 6.4.2 压降运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 为 TLV70901 可调节 LDO 设置 VOUT
        2. 7.2.2.2 外部电容器要求
        3. 7.2.2.3 输入和输出电容器要求
        4. 7.2.2.4 反向电流
        5. 7.2.2.5 前馈电容器 (CFF)
        6. 7.2.2.6 功率耗散 (PD)
        7. 7.2.2.7 估算结温
    3. 7.3 优秀设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 功率耗散
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.5 零泄漏控制电路

该器件具有内置的零泄漏控制电路。在高温下，导通晶体管漏电流会增加，并开始在空载 (IOUT = 0mA) 条件下影响 VOUT 精度。随着 LDO 两端余量 (VIN – VOUT) 的增加，这种泄漏变得更加严重。TLV709 有一个内置的零泄漏控制电路，此电路可检测导通晶体管泄漏并为泄漏提供一个接地放电路径。该电路有助于 TLV709 在宽 VIN 和温度范围（–40°C 至 +125°C）内保持更严格的 VOUT 精度。
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