ZHCSRS8E February   2023  – April 2024 TLV709

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 宽电源电压
      2. 6.3.2 低静态电流
      3. 6.3.3 压降电压 (VDO)
      4. 6.3.4 电流限值
      5. 6.3.5 零泄漏控制电路
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常工作模式
      2. 6.4.2 压降运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 为 TLV70901 可调节 LDO 设置 VOUT
        2. 7.2.2.2 外部电容器要求
        3. 7.2.2.3 输入和输出电容器要求
        4. 7.2.2.4 反向电流
        5. 7.2.2.5 前馈电容器 (CFF)
        6. 7.2.2.6 功率耗散 (PD)
        7. 7.2.2.7 估算结温
    3. 7.3 优秀设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 功率耗散
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.3 压降电压 (VDO)

压降电压 (VDO) 在额定输出电流 (IRATED) 下被定义为 VIN – VOUT，在这种情形下，导通晶体管完全导通。VIN 是输入电压、VOUT 是输出电压、IRATED 是 建议运行条件 表中列出的最大 IOUT。器件在压降模式下运行时，导通晶体管处于欧姆区域或三极管区域并充当开关。压降电压间接指定了一个最小输入电压，该电压大于输出电压预计保持稳定的标称编程输出电压。如果输入电压降至低于维持输出调节所需的值，输出电压也会下降。

对于 CMOS 稳压器，压降电压由导通晶体管的漏源导通状态电阻 (RDS(ON)) 决定。因此，如果线性稳压器的工作电流小于额定电流，该电流的压降电压会相应地变化。使用方程式 1 计算器件的 RDS(ON)。

方程式 1. GUID-A5B04C90-7BDA-444D-A23D-CEB244144CBC-low.png
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