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ZHCSN60D November 2021 – March 2024 TLV9161 , TLV9162 , TLV9164

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

DCK|5
- MPDS025J
DBV|5
- MPDS018T
DBV|6
- MPDS026Q

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

5.7 电气特性

在 V_S = (V+) – (V–) = 2.7V 至 16V（±1.35V 至 ±8V）、T_A = 25°C、R_L = 10kΩ（连接至 V_S/2）、V_CM = V_S/2 且 V_OUT = V_S/2 条件下测得（除非另有说明）。

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
失调电压
V_OS	输入失调电压	V_CM = V–			±0.21	±1	mV
V_OS	输入失调电压	V_CM = V–	T_A = -40°C 至 125°C			±1.2	mV
dV_OS/dT	输入失调电压温漂	V_CM = V–	T_A = -40°C 至 125°C		±0.25		µV/℃
PSRR	输入失调电压与电源间的关系	TLV9161，TLV9162，V_CM = V–，V_S = 5V 至 16V			±0.45	±2	μV/V
		TLV9161，TLV9162，V_CM = V–，V_S = 5V 至 16V	T_A = -40°C 至 125°C		±0.45	±3
		TLV9162SIRUGR，V_CM = V–，V_S = 5V 至 16V⁽¹⁾			±0.45	±2.8
		TLV9162SIRUGR，V_CM = V–，V_S = 5V 至 16V⁽¹⁾	T_A = -40°C 至 125°C		±0.45	±3.1
		TLV9164，V_CM = V–，V_S = 5V 至 16V			±0.45	±2.2
		TLV9164，V_CM = V–，V_S = 5V 至 16V	T_A = -40°C 至 125°C		±0.45	±3.8
		TLV9161，TLV9162，TLV9164，V_CM = V–，V_S = 2.7V 至 16V⁽¹⁾	T_A = -40°C 至 125°C		±2	±12
	直流通道隔离				0.4		µV/V
输入偏置电流
I_B	输入偏置电流				±10		pA
I_OS	输入失调电流				±10		pA
噪声
E_N	输入电压噪声	f = 0.1Hz 至 10Hz			2.7		μV_PP
E_N	输入电压噪声	f = 0.1Hz 至 10Hz			0.49		µV_RMS
e_N	输入电压噪声密度	f = 1kHz			6.8		nV/√Hz
e_N	输入电压噪声密度	f = 10kHz			4.2		nV/√Hz
i_N	输入电流噪声密度	f = 1kHz			55		fA/√Hz
输入电压范围
V_CM	共模电压范围			(V–)		(V+)	V
CMRR	共模抑制比	V_S = 16V，V– < V_CM < (V+) – 2V（PMOS 对）	T_A = -40°C 至 125°C	85	110		dB
		V_S = 5V，V– < V_CM < (V+) – 2V（PMOS 对）⁽¹⁾		75	98
		V_S = 2.7V，V– < V_CM < (V+) – 2V（PMOS 对）			90
		V_S = 2.7V 至 16V，(V+) – 1V < V_CM < V+（NMOS 对）			78
		(V+) – 2V < V_CM < (V+) – 1V		请参阅图 5-6
输入阻抗
Z_ID	差分				100 \|\| 9		MΩ \|\| pF
Z_ICM	共模				6 \|\| 1		TΩ \|\| pF
开环增益
A_OL	开环电压增益	V_S = 16V，V_CM = V_S / 2， (V–) + 0.1V < V_O < (V+) – 0.1V		120	136		dB
		V_S = 16V，V_CM = V_S / 2， (V–) + 0.1V < V_O < (V+) – 0.1V	T_A = -40°C 至 125°C		136
		V_S = 5V，V_CM = V_S / 2， (V–) + 0.1V < V_O < (V+) – 0.1V⁽¹⁾		104	125
		V_S = 5V，V_CM = V_S / 2， (V–) + 0.1V < V_O < (V+) – 0.1V⁽¹⁾	T_A = -40°C 至 125°C		125
		V_S = 2.7V，V_CM = V_S / 2， (V–) + 0.1V < V_O < (V+) – 0.1V⁽¹⁾		90	105
			T_A = -40°C 至 125°C		105
频率响应
GBW	增益带宽积				11		MHz
SR	压摆率	V_S = 16V，G = +1，V_STEP = 10V，C_L = 20pF⁽³⁾			33		V/μs
t_S	稳定时间	精度为 0.1%，V_S = 16V，V_STEP = 10V，G = +1，C_L = 20pF			0.70		μs
		精度为 0.1%，V_S = 16V，V_STEP = 2V，G = +1，C_L = 20pF			0.22
		精度为 0.01%，V_S = 16V，V_STEP = 10V，G = +1，C_L = 20pF			0.89
		精度为 0.01%，V_S = 16V，V_STEP = 2V，G = +1，C_L = 20pF			0.42
	相位裕度	G = +1，R_L = 10kΩ，C_L = 20pF			64		°
	过载恢复时间	V_IN × 增益 > V_S			120		ns
THD+N	总谐波失真 + 噪声	V_S = 16V，V_O = 3V_RMS，G = 1，f = 1kHz			0.00005%
		V_S = 16V，V_O = 3V_RMS，G = 1，f = 1kHz			126		dB
		V_S = 10V，V_O = 3V_RMS，G = 1，f = 1kHz，R_L = 128Ω			0.0032%
		V_S = 10V，V_O = 3V_RMS，G = 1，f = 1kHz，R_L = 128Ω			90		dB
		V_S = 10V，V_O = 0.4V_RMS，G = 1，f = 1kHz，R_L = 32Ω			0.00032%
		V_S = 10V，V_O = 0.4V_RMS，G = 1，f = 1kHz，R_L = 32Ω			110		dB
输出
	相对于电源轨的电压输出摆幅	正负电源轨余量	V_S = 16V，R_L = 空载		6		mV
			V_S = 16V，R_L = 10kΩ		25	60
			V_S = 16V，R_L = 2kΩ		85	300
			V_S = 2.7V，R_L = 空载		0.5
			V_S = 2.7V，R_L = 10kΩ		5	20
			V_S = 2.7V，R_L = 2kΩ		20	50
I_SC	短路电流				±73		mA
C_LOAD	容性负载驱动			请参阅图 5-33			pF
Z_O	开环输出阻抗	I_O = 0A		请参阅图 5-30			Ω
电源
I_Q	每个放大器的静态电流	TLV9162，TLV9164，I_O = 0A			2.4	2.8	mA
		TLV9162，TLV9164，I_O = 0A	T_A = -40°C 至 125°C			2.84
		TLV9161，I_O = 0A			2.48	2.92
		TLV9161，I_O = 0A	T_A = -40°C 至 125°C			2.98
关断
I_QSD	每个放大器的静态电流	V_S = 2.7V 至 16V，所有放大器都被禁用，SHDN = V– + 2V			36	45	µA
Z_SHDN	关断时的输出阻抗	V_S = 2.7V 至 16V，放大器被禁用			10 \|\| 2		GΩ \|\| pF
V_IH	逻辑高电平阈值电压（放大器被禁用）	对于有效输入高电平，SHDN 引脚电压应大于最大阈值，但小于或等于 V+				(V–) + 1.1V	V
V_IL	逻辑低电平阈值电压（放大器被启用）	对于有效输入低电平，SHDN 引脚电压应该小于最小阈值，但大于或等于 V–		(V–) + 0.2V			V
t_ON	放大器启用时间（从关断开始）⁽²⁾	V_S = ±8V，G = +1，V_CM = V_S/2，R_L = 10kΩ（连接至 V-）			5		µs
t_OFF	放大器禁用时间⁽²⁾	V_S = ±8V，G = +1，V_CM = V_S/2，R_L = 10kΩ（连接至 V-）			3		µs
	SHDN 引脚输入偏置电流（每个引脚）	V_S = 2.7V 至 16V，(V+) ≥ SHDN ≥ (V–) + 0.9V			500		nA
	SHDN 引脚输入偏置电流（每个引脚）	V_S = 2.7V 至 16V，(V–) ≤ SHDN ≤ (V–) + 0.7V			400		nA

(1) 仅由特性确定。

(2) 禁用时间 (t_OFF) 和启用时间 (t_ON) 是指施加给 SHDN 引脚的信号为 50% 时到输出电压达到最终值的 10%（禁用）或 90%（启用）时之间的时间间隔。

(3) 如需了解更多信息，请参阅图 5-15。