ZHCSN58B November   2021  – March 2022 TLV9361 , TLV9362 , TLV9364

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 单通道器件的热性能信息
    5. 6.5 双通道器件的热性能信息
    6. 6.6 四通道器件的热性能信息
    7. 6.7 电气特性
    8. 6.8 典型特性
  7. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 EMI 抑制
      2. 7.3.2 过热保护
      3. 7.3.3 容性负载和稳定性
      4. 7.3.4 电气过载
      5. 7.3.5 过载恢复
      6. 7.3.6 典型规格与分布
    4. 7.4 器件功能模式
  8. 应用信息免责声明
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 具有 RISO 稳定性补偿的单位增益缓冲器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
  9. 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 开发支持
        1. 11.1.1.1 TINA-TI(免费软件下载)
        2. 11.1.1.2 TI 精密设计
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 11.7 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

在 VS = (V+) – (V–) = 4.5V 至 40V (±2.25V 至 ±20V)、TA = 25°C、RL = 10kΩ(连接至 VS/2)、VCM = VS/2 且 VOUT = VS/2 条件下测得(除非另有说明)。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入失调电压 VCM = V– ±0.4 ±1.7 mV
TA = –40°C 至 125°C ±2
dVOS/dT 输入失调电压漂移 VCM = V– TA = –40°C 至 125°C ±1.25 µV/℃
PSRR 输入失调电压与电源间的关系 VCM = V–,VS = 5V 至 40V(1) TA = –40°C 至 125°C ±1.5 ±7.5 μV/V
直流通道隔离 1 µV/V
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 ±10 pA
IOS 输入失调电流 ±10 pA
噪声
EN 输入电压噪声 f = 0.1Hz 至 10Hz   6 μVPP
  1   µVRMS
eN 输入电压噪声密度 f = 1kHz 8.5   nV/√Hz
f = 10kHz   6  
iN 输入电流噪声密度 f = 1kHz   100   fA/√Hz
输入电压范围
VCM 共模电压范围 (V–) (V+) – 2 V
CMRR 共模抑制比 VS = 40V,V– < VCM < (V+) – 2V TA = –40°C 至 125°C 95 110 dB
VS = 5V,V– < VCM < (V+) – 2V(1) 75 85
输入阻抗
ZID 差分 100 || 9 MΩ || pF
ZICM 共模 6 || 1 TΩ || pF
开环增益
AOL 开环电压增益 VS = 40V,VCM = VS /2,
(V–) + 0.1V < VO < (V+) – 0.1V
115 130 dB
VS = 40V,VCM = VS /2,
(V–) + 0.12 V < VO < (V+) – 0.12 V
TA = –40°C 至 125°C 130
VS = 5V,VCM = VS/2,
(V–) + 0.1V < VO < (V+) – 0.1V(1)
100 120
TA = –40°C 至 125°C 120
频率响应
GBW 增益带宽积 10.6 MHz
SR 压摆率 VS = 40V,G = +1,VSTEP = 10V,CL = 20pF(3) 25 V/μs
tS 趋稳时间 精度为 0.1%,VS = 40V,VSTEP = 10V,G = +1,CL = 20pF 0.65 μs
精度为 0.1%,VS = 40V,VSTEP = 2V,G = +1,CL = 20pF 0.3
精度为 0.01%,VS = 40V,VSTEP = 10V,G = +1,CL = 20pF 0.86
精度为 0.01%,VS = 40V,VSTEP = 2V,G = +1,CL = 20pF 0.44
相位裕度 G = +1,RL = 10kΩ,CL = 20pF 64 °
过载恢复时间 VIN × 增益 > VS 170 ns
THD+N 总谐波失真 + 噪声 VS = 40V,VO = 3VRMS,G = 1,f = 1kHz,RL = 10kΩ 0.0001%
120 dB
VS = 10V,VO = 3VRMS,G = 1,f = 1kHz,RL = 128Ω 0.0056%
85 dB
VS = 10V,VO = 0.4VRMS,G = 1,f = 1kHz,RL = 32Ω 0.00056%
105 dB
输出
  相对于电源轨的电压输出摆幅 正负
电源轨余量
VS = 40V,RL = 空载   10 mV
VS = 40V,RL = 10kΩ   60 100
VS = 40V,RL = 2kΩ   250 400
ISC 短路电流 ±60(5) mA
CLOAD 容性负载驱动 参阅图 6-28 pF
ZO 开环输出阻抗 IO = 0A 请参见图 6-25
电源
IQ 每个放大器的静态电流 IO = 0A 2.6 3 mA
TA = –40°C 至 125°C 3.2
仅由特征确定。
在高电源电压下,将 TLV936x 突然短接至 1/2 Vs 或接地会导致快速热关断。如果根据图 6-12 避免了快速热关断,则可实现大于 ISC 的输出电流。
有关更多信息,请参阅图 6-11