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ZHCSUF6 July 2024 TLVM14404 , TLVM14406

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

RCH|28
- MPQF746

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsuf6_oa

6.5 电气特性

T_J = –40°C 至 125°C。典型值在 T_J = 25°C 和 V_IN = 13.5V 条件下测得（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
电源
I_Q(VIN-ST5p0)	VIN 静态电流，单路输出模式	非开关，V_EN = 2V，V_BIAS = V_VOSNS1 = 5V + 10%，T_J = 125℃		25	45	µA
I_Q(VIN-ST3p3)	VIN 静态电流，单路输出模式	非开关，V_EN = 2V，V_BIAS = V_VOSNS1 = 3.3V + 10%，T_J = 125℃		15	35	µA
I_Q(VIN-DT3p3)	VIN 静态电流，双路输出模式，BIAS = 3.3V	非开关，V_EN = 2V，V_BIAS = V_VOSNS1 = 3.3V + 10%，V_VOSNS2= 5V + 10%，T_J = 125℃		9	18	µA
I_SD(VIN)	VIN 关断电源电流	V_EN = 0V		1	8	µA
UVLO
VIN_UVLO(R)	VIN UVLO 上升阈值	V_IN 上升		3.5	3.80	V
VIN_UVLO(F)	VIN UVLO 下降阈值	V_IN 下降		2.55	3	V
VIN_UVLO(H)	VIN UVLO 迟滞		0.735	0.95	1.25	V
ENABLE
V_EN(R)	EN1/2 电压上升阈值	EN1/2 上升，启用开关	1.125	1.25	1.375	V
V_EN(F)	EN1/2 电压下降阈值	EN1/2 下降，禁用开关	0.8	0.9	1.0	V
V_EN(H)	EN1/2 电压迟滞		0.25	0.325	0.55	V
V_EN(W)	EN1/2 电压唤醒阈值		0.4			V
I_EN	EN1/2 引脚拉电流后 EN 上升阈值	V_EN1/2 = V_IN = 13.5V		0.6	400	nA
内部 LDO
V_VCC	内部 LDO 输出电压	V_BIAS≥ 3.4V，I_VCC≤ 100mA	2.7	3.1	3.7	V
I_VCC	内部 LDO 短路电流限制	V_IN = 13.5V	100	377	880	mA
V_VCC(UVLO-R)	启动时的 VCC UVLO 上升阈值		3.3	3.5	3.75	V
V_VCC(UVLO-F)	关断时的 VCC UVLO 下降阈值		2.3	2.5	2.7	V
基准电压
V_FB1/2	可调输出配置中的双路输出反馈电压		788	800	812	mV
V_{FB1_so}	可调输出配置中的单路输出模式 FB 电压		788	800	812	mV
I_FB1/2(LKG)	双路输出配置中的 FB 输入漏电流	V_FB1/2 = 0.8V		10	250	nA
I_{FB1_so(LKG)}	单路输出配置中的 FB 输入漏电流	V_FB = 0.8V		2	250	nA
FB_Sel-5v0	固定 5V 设置的电压阈值		VCC-0.5			V
FB_Sel-3v0	用于固定 3.3V 设置的电阻器				300	Ω
FB_Sel-ext	用于选择可调输出电压的外部 FB 分压器选项的最小戴维南等效电阻。		4			kΩ
误差放大器
g_m-S1	EA 跨导 - 单路输出模式	V_FB1 = V_COMP	625	888	1300	µS
开关频率
f_SW1(FCCM)	开关频率，FCCM 运行	R_RT = 7.15kΩ 至 AGND	1.9	2.1	2.3	MHz
f_SW2(FCCM)	开关频率，FCCM 运行	R_RT = 39.2kΩ 至 AGND	360	400	450	kHz
f_ADJ(FCCM)	可调开关频率范围	R_RT 电阻器，从 6.81kΩ 至 158kΩ 至 AGND	0.1		2.2	MHz
启动
t_SS(R)	内部固定软启动时间 - 双路输出模式	从 V_VOSNS1/2= 0%（第一个 SW 脉冲）到 V_VOSNS1/2= 90%	2.7	4.5	7	ms
I_SS(R)	软启动充电电流 - 单路输出模式	V_SS = 0V	15	20	25	µA
R_SS(F)	软启动放电电阻 - 单路输出模式			10	27	Ω
t_EN	EN1（单路输出模式）或 EN1/EN2（以双路输出模式中先发生者为准）高电平至开关延迟开始			687	900	µs
功率级
R_DSON(HS)	高侧 MOSFET 导通电阻	V_BOOT-SW = 3.3V，I_OUT = 1A		37		mΩ
R_DSON(LS)	低侧 MOSFET 导通电阻	V_VCC = 3.3V，I_OUT = 1A		23.9		mΩ
t_ON(min)	最小 ON 脉冲宽度	V_IN = 20V，I_OUT = 2A		40	62	ns
t_ON(max)	最大 ON 脉冲宽度（双路输出，单路输出初级）	R_RT = 7.15kΩ	5	8	12	µs
t_ON(max)	最大 ON 脉冲宽度（单路输出次级）	R_RT = 7.15kΩ		16	25	µs
t_OFF(min)	最小 OFF 脉冲宽度	V_IN = 4V		70	110	ns
过流保护
I_HS(OC1)	高侧峰值电流限值 TLVM14404	占空比接近 0% 时 HS FET 上的峰值电流限值		4.76		A
I_HS(OC2)	高侧峰值电流限值 TLVM14406	占空比接近 0% 时 HS FET 上的峰值电流限值		5.5		A
I_LS(OC1)	低侧谷值电流限值 TLVM14404	LS FET 上的谷值电流限值		3.2		A
I_LS(OC2)	低侧谷值电流限值 TLVM14406	LS FET 上的谷值电流限值		3.7		A
IL_PEAK1(min-0)	最小占空比下的最小峰值电感器电流 TLVM14404	V_VCC = 3.3V，t_pulse ≤ 100ns		0.71		A
IL_{PEAK1(min-100)}	最大占空比下的最小峰值电感器电流 TLVM14406	V_VCC = 3.3V，t_pulse ≥ 1µs		0.19		A
IL_PEAK2(min-0)	最小占空比下的最小峰值电感器电流 TLVM14404	V_VCC = 3.3V，t_pulse ≤ 100ns		0.81		A
IL_{PEAK2(min-100)}	最大占空比下的最小峰值电感器电流 TLVM14406	V_VCC = 3.3V，t_pulse ≥ 1µs		0.22		A
V_Hiccup-FB	引脚上的断续阈值 - 双路输出模式，可调输出选项	HS FET 导通时间 > 165ns	0.25	0.3	0.35	V
t_Hiccup-1	进入断续前的等待时间 - 单路和双路输出模式		126	128	130	电流限制周期
t_Hiccup-2	重启之前的断续时间		50	88		ms
电源正常
V_PGTH-1	电源正常阈值 (PG1/2)	PGOOD 低电平，V_VOSNS1/2 上升	93%	95%	97%
V_PGTH-2	电源正常阈值 (PG1/2)	PGOOD 高电平，V_VOSNS1/2 下降	92%	94%	96%
V_PGTH-3	电源正常阈值 (PG1/2)	PGOOD 高电平，V_VOSNS1/2 上升	105%	107%	110%
V_PGTH-4	电源正常阈值 (PG1/2)	PGOOD 低电平，V_VOSNS1/2 下降	104%	106%	109%
t_PGOOD(R)	启动期间 PG1/2 从 V_VOSNS1/2 有效到 PGOOD 高电平的延迟	V_VOSNS1/2 = 3.3V	1.5	2.1	3	ms
t_PGOOD(F)	从 V_VOSNS1/2 无效到 PGOOD 低电平的 PG1/2 延迟	V_VOSNS1/2 = 3.3V	25	40	70	µs
I_PG(LKG)	开漏输出为高电平时的 PG1/2 引脚漏电流	V_PG= 3.3V			0.075	µA
V_PG-D(LOW)	两个通道的 PG 引脚输出低电平电压	I_PG= 1mA，V_EN = 0V。			400	mV
R_PG-1	下拉 MOSFET 电阻	I_PG= 1mA，V_EN = 3.3V。		30	90	Ω
V_{IN(PG_VALID)}	有效 PG 输出的最小 VIN	PG 上的上拉电阻 - R_PG= 10kΩ，PG 上的电压上拉 - V_{PULLUP_PG}= 3V，V_PG-D_(LOW)= 0.4V	0.45		1.2	V
热关断
T_J(SD)	热关断阈值 ⁽¹⁾	温度上升	160	170	180	°C
T_J(HYS)	热关断迟滞 ⁽¹⁾			10		°C

(1) 根据设计确定。