TLVM365R1x 通过针对高侧和低侧 MOSFET 的逐周期电流限制在过流情况下进行保护。

高侧 (HS) MOSFET 过流保护是通过典型峰值电流模式控制方案来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时，将检测到高侧开关电流。在每个开关周期，将高侧开关电流与固定电流设定点的最小值，或与内部误差放大器环路的输出减去斜率补偿之后的值进行比较。由于内部误差放大器环路的输出具有最大值，并且斜率补偿随着占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高侧电流限值会随着占空比的增加而降低。

当低侧 (LS) 开关接通时，也会检测和监控流经它的电流。与高侧器件一样，低侧器件具有由内部误差放大器环路命令的关断功能。对于低侧器件，即使振荡器正常启动一个新的开关周期，也会在电流超过此值时阻止关断。与高侧器件一样，关断电流的高低也受到限制。该限值在图 7-8 中称为低侧电流限值 I_LS-LIMIT。如果超出低侧电流限值，低侧 MOSFET 将保持导通状态，高侧开关不会导通。一旦低侧电流降至此限值以下，低侧开关就会关断，并且只要自高侧器件上次导通后至少经过一个时钟周期，高侧开关就会再次导通。

图 7-8 电流限值波形

由于电流波形假定值介于 I_SC 和 I_LS-LIMIT 之间，因此最大输出电流非常接近这两个值的平均值，除非占空比非常高。在电流限制下运行之后将使用迟滞控制，并且电流不会随着输出电压接近零而增加。

如果占空比非常高，电流纹波必须非常低以防止不稳定。由于电流纹波较低，因此该器件能够提供全电流。提供的电流非常接近 I_LS-LIMIT。

图 7-9 输出电压与输出电流间的关系