ZHCSMY4D December   2020  – June 2022 TMAG5110 , TMAG5111

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 磁特性
    7. 7.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 2D 描述
        1. 8.3.1.1 2D 一般说明和优势
        2. 8.3.1.2 2D 磁传感器响应
        3. 8.3.1.3 轴极性
      2. 8.3.2 轴选项
        1. 8.3.2.1 器件与磁体放置在同一平面
        2. 8.3.2.2 将器件放置在磁体侧边缘
      3. 8.3.3 上电时间
      4. 8.3.4 传播延迟
      5. 8.3.5 霍尔元件位置
      6. 8.3.6 功率降额
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 增量旋转编码应用
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

说明

TMAG5110 TMAG5111
二维双通道霍尔效应锁存器,通过 2.5V 至 38V 电源供电。由于专为高速和高温电机应用设计,这些器件针对利用旋转磁体的应用进行了优化。通过集成两个传感器和两个单独的信号链,TMAG511x 可提供两个独立的数字输出用于速度和方向计算 (TMAG5111),或直接为每个独立锁存器提供数字输出 (TMAG5110)。这种高度集成允许使用一个 TMAG511x 器件,而不是两个单独的锁存器。

该器件提供标准的 3mT 工作点以及高灵敏度 1.4mT 工作点。更高的磁性灵敏度可实现灵活的低成本磁体选型和机械部件放置。TMAG511x 还提供了三个 2 轴组合选项(X-Y、Z-X、Z-Y),以允许传感器相对于磁体灵活放置。

该器件在 –40°C 至 +125°C 的宽环境温度范围内能够保持稳定一致的优异性能。

器件信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(标称值)
TMAG5110 SOT-23 (5) 2.9mm × 1.6mm
TMAG5111
如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的封装选项附录。
GUID-D6709DB7-55AB-43BB-8355-D2C3224B53A2-low.gif 器件输出