ZHCSOQ3 September   2021 TMAG5170

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 磁特性
    7. 6.7 上电时序
    8. 6.8 SPI 接口时序
    9. 6.9 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 磁通量方向
      2. 7.3.2 传感器位置
      3. 7.3.3 磁场范围选择
      4. 7.3.4 更新速率设置
      5. 7.3.5 ALERT 功能
        1. 7.3.5.1 中断和触发模式
        2. 7.3.5.2 磁性开关模式
      6. 7.3.6 阈值计数
      7. 7.3.7 诊断
        1. 7.3.7.1  存储器 CRC 校验
        2. 7.3.7.2  ALERT 完整性检查
        3. 7.3.7.3  VCC 检查
        4. 7.3.7.4  内部 LDO 欠压检查
        5. 7.3.7.5  数字内核上电复位检查
        6. 7.3.7.6  SDO 输出检查
        7. 7.3.7.7  通信 CRC 校验
        8. 7.3.7.8  振荡器完整性检查
        9. 7.3.7.9  磁场阈值检查
        10. 7.3.7.10 温度警报检查
        11. 7.3.7.11 模拟前端 (AFE) 检查
        12. 7.3.7.12 霍尔电阻和开关矩阵检查
        13. 7.3.7.13 霍尔偏移检查
        14. 7.3.7.14 ADC 检查
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 工作模式
        1. 7.4.1.1 活动模式
        2. 7.4.1.2 待机模式
        3. 7.4.1.3 配置模式（默认）
        4. 7.4.1.4 睡眠模式
        5. 7.4.1.5 唤醒和睡眠模式
        6. 7.4.1.6 深度睡眠模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 数据定义
        1. 7.5.1.1 磁传感器数据
        2. 7.5.1.2 温度传感器数据
        3. 7.5.1.3 磁传感器偏移校正
        4. 7.5.1.4 角度和幅度定义
      2. 7.5.2 SPI 接口
        1. 7.5.2.1 SCK
        2. 7.5.2.2 CS
        3. 7.5.2.3 SDI
        4. 7.5.2.4 SDO
          1. 7.5.2.4.1 常规 32 位 SDO 读取
          2. 7.5.2.4.2 特殊 32 位 SDO 读取
        5. 7.5.2.5 SPI CRC
        6. 7.5.2.6 SPI 帧
          1. 7.5.2.6.1 32 位读取帧
          2. 7.5.2.6.2 32 位写入帧
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 TMAG5170 寄存器
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 选择灵敏度选项
      2. 8.1.2 磁体的温度补偿
      3. 8.1.3 传感器转换
        1. 8.1.3.1 连续转换
        2. 8.1.3.2 触发器转换
        3. 8.1.3.3 伪同步采样
      4. 8.1.4 线性测量过程中的误差计算
      5. 8.1.5 角度测量过程中的误差计算
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
        1. 8.2.1.1 角度测量的增益调整
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 注意事项
  9. 9 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.7 上电时序

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VCC = 5.5V
tstart_power_up VVCC 电源电压超过 VVCC_MIN 后的启动时间 246 350 µs
tstart_sleep 从睡眠模式激活所需的时间 40 50 µs
tgo_sleep CS 变为高电平后进入睡眠模式所需的时间 50 µs
tstart_deep_sleep 从深度睡眠模式启动所需的时间 246 350 µs
tstart_deep_sleep CS 变为高电平后进入深度睡眠模式所需的时间 75 µs
tstand_by 从配置模式进入待机模式所需的时间 90 µs
tspi_sleep 在睡眠模式下 CS 变为低电平与 SCK 启动之间的建立时间 8 10 µs
VCC =2.3V
tstart_power_up VCC 电源电压超过 VCC_MIN 后的启动时间 260 500 µs
tstart_sleep 从睡眠模式激活所需的时间 40 50 µs
tgo_sleep CS 变为高电平后进入睡眠模式所需的时间 60 µs
tstart_deep_sleep 从深度睡眠模式启动所需的时间 260 500 µs
tstart_deep_sleep CS 变为高电平后进入深度睡眠模式所需的时间 75 µs
tstand_by 从配置模式进入待机模式所需的时间 90 µs
tspi_sleep 在睡眠模式下 CS 变为低电平与 SCK 启动之间的延迟时间 8 10 µs
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