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ZHCSLM2A January 2021 – July 2021 TMCS1108

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

D|8
- MSOI002K

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

7.6 电气特性

在 T_A = 25°C、V_S = 5V 条件下测得（除非另有说明）

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输出
	灵敏度⁽⁷⁾	TMCS1108A1B		50		mV/A
		TMCS1108A2B		100		mV/A
		TMCS1108A3B		200		mV/A
		TMCS1108A4B		400		mV/A
		TMCS1108A1U		50		mV/A
		TMCS1108A2U		100		mV/A
		TMCS1108A3U		200		mV/A
		TMCS1108A4U		400		mV/A
	灵敏度误差	0.05V ≤ V_OUT ≤ V_S – 0.2V，T_A = 25ºC		±0.4%	±1.2%
	灵敏度误差	TMCS1108A1U，0.05V ≤ V_OUT ≤ 3V， T_A = 25ºC		±0.4%	±1.2%
	灵敏度误差，包括寿命和环境漂移 ⁽⁵⁾	0.05V ≤ V_OUT ≤ V_S – 0.2V，T_A = 25ºC		±0.7%	±1.8%
	灵敏度误差	0.05V ≤ V_OUT ≤ V_S – 0.2V， T_A = –40ºC 至 +85ºC		±0.7%	±1.8%
		TMCS1108A1U，0.05V ≤ V_OUT ≤ 3V， T_A = –40ºC 至 +85ºC		±0.7%	±1.8%
		0.05V ≤ V_OUT ≤ V_S – 0.2V， T_A = –40ºC 至 +125ºC		±0.9%	±2.25%
		TMCS1108A1U，0.05V ≤ V_OUT ≤ 3V， T_A = –40ºC 至 +125ºC		±0.9%	±2.25%
	非线性误差	V_OUT = 0.5V 至 V_S – 0.5V		±0.5%
	非线性误差	TMCS1108A1U，V_OUT = 0.5V 至 3V		±0.5%
V_OE	输出电压失调误差⁽¹⁾	TMCS1108A1B		±2	±8	mV
		TMCS1108A2B		±2	±10	mV
		TMCS1108A3B		±3	±12	mV
		TMCS1108A4B		±5	±30	mV
		TMCS1108A1U		±2	±8	mV
		TMCS1108A2U		±2	±10	mV
		TMCS1108A3U		±5	±12	mV
		TMCS1108A4U		±15	±30	mV
	输出电压温漂	TMCS1108A1B，TA = –40ºC 至 +125ºC		±10	±30	µV/℃
		TMCS1108A2B，TA = –40ºC 至 +125ºC		±10	±40	µV/℃
		TMCS1108A3B，TA = –40ºC 至 +125ºC		±15	±80	µV/℃
		TMCS1108A4B，TA = –40ºC 至 +125ºC		±40	±170	µV/℃
		TMCS1108A1U，TA = –40ºC 至 +125ºC		±10	±30	µV/℃
		TMCS1108A2U，TA = –40ºC 至 +125ºC		±10	±40	µV/℃
		TMCS1108A3U，TA = –40ºC 至 +125ºC		±20	±80	µV/℃
		TMCS1108A4U，TA = –40ºC 至 +125ºC		±50	±170	µV/℃
I_OS	失调误差，RTI⁽¹⁾⁽³⁾	TMCS1108A1B		±40	±160	mA
		TMCS1108A2B		±20	±100	mA
		TMCS1108A3B		±15	±60	mA
		TMCS1108A4B		±12.5	±75	mA
		TMCS1108A1U		±40	±160	mA
		TMCS1108A2U		±20	±100	mA
		TMCS1108A3U		±25	±60	mA
		TMCS1108A4U		±37.5	±75	mA
	失调误差温度漂移，RTI⁽³⁾	TMCS1108A1B，TA = –40ºC 至 +125ºC		±200	±600	µA/°C
		TMCS1108A2B，TA = –40ºC 至 +125ºC		±100	±400	µA/°C
		TMCS1108A3B，TA = –40ºC 至 +125ºC		±75	±400	µA/°C
		TMCS1108A4B，TA = –40ºC 至 +125ºC		±100	±425	µA/°C
		TMCS1108A1U，TA = –40ºC 至 +125ºC		±200	±600	µA/°C
		TMCS1108A2U，TA = –40ºC 至 +125ºC		±100	±400	µA/°C
		TMCS1108A3U，TA = –40ºC 至 +125ºC		±100	±400	µA/°C
		TMCS1108A4U，TA = –40ºC 至 +125ºC		±125	±425	µA/°C
PSRR	电源抑制比	V_S = 3V 至 5.5V，T_A= –40ºC 至 +125ºC		±1	±6.5	mV/V
PSRR	电源抑制比	TMCS1108A4B/U，V_S = 4.5V 至 5.5V， T_A = –40ºC 至 +125ºC		±1	±6.5	mV/V
CMTI	共模瞬态抗扰度			50		kV/µs
CMRR	共模抑制比，RTI⁽³⁾	DC 到 60Hz		5		uA/V
	零电流 V_OUT⁽¹⁾	TMCS1108AxU		0.1*V_S		V/V
	零电流 V_OUT⁽¹⁾	TMCS1108AxB		0.5*V_S		V/V
	噪声密度，RTI⁽³⁾	TMCS1108A1B		380		μA/√Hz
		TMCS1108A2B		330		μA/√Hz
		TMCS1108A3B		300		μA/√Hz
		TMCS1108A4B		225		μA/√Hz
		TMCS1108A1U		380		μA/√Hz
		TMCS1108A2U		330		μA/√Hz
		TMCS1108A3U		300		μA/√Hz
		TMCS1108A4U		225		μA/√Hz
输入
R_IN	输入导体电阻	IN+ 至 IN–		1.8		mΩ
	输入导体电阻温度漂移	T_A= –40ºC 至 +125ºC		4.4		μΩ/°C
G	磁耦合系数	T_A = 25ºC		1.1		mT/A
I_IN,max	允许的连续 RMS 电流 ⁽⁴⁾	T_A = 25ºC		30		A
		T_A = 85ºC		25		A
		T_A = 105ºC		22.5		A
		T_A = 125ºC		16		A
	NC（引脚 6）输入阻抗	在允许的范围内，GND < V_NC < V_S	1			MΩ
电压输出
Z_OUT	闭环输出阻抗	f = 1 Hz 至 1 kHz		0.2		Ω
Z_OUT	闭环输出阻抗	f = 10kHz		2		Ω
	最大容性负载	无持续振荡		1		nF
	短路输出电流	VOUT 接地短路，对 V_S 短路		90		mA
	相对于 V_S 电源轨的摆幅	R_L = 10kΩ 至 GND，T_A = –40ºC 至 +125ºC		V_S – 0.02	V_S – 0.1	V
	到 GND 的摆幅	R_L = 10kΩ 至 GND，T_A = –40ºC 至 +125ºC		V_GND + 5	V_GND + 10	mV
频率响应
BW	带宽⁽⁶⁾	–3dB 带宽		80		kHz
SR	压摆率⁽⁶⁾	单个瞬态阶跃期间输出放大器的压摆率。		1.5		V/µs
t_r	响应时间⁽⁶⁾	输入电流阶跃达到最终值的 90% 与传感器输出达到其最终值的 90% 之间的时间，用于 1V 输出转换。		6.5		µs
t_p	传播延迟⁽⁶⁾	输入电流阶跃达到最终值的 10% 与传感器输出达到其最终值的 10% 之间的时间，用于 1V 输出转换。		4		µs
t_r,SC	电流过载响应时间⁽⁶⁾	输入电流阶跃达到最终值的 90% 与传感器输出达到其最终值的 90% 之间的时间。输入电流阶跃振幅是满量程输出范围的两倍。		5		µs
t_p,SC	电流过载传播延迟⁽⁶⁾	输入电流阶跃达到最终值的 10% 与传感器输出达到其最终值的 10% 之间的时间。输入电流阶跃振幅是满量程输出范围的两倍。		3		µs
	电流过载恢复时间	从导致输出饱和条件的电流结束到有效输出的时间		15		µs
电源
I_Q	静态电流	T_A = 25ºC		4.5	5.5	mA
I_Q	静态电流	T_A = –40ºC 至 +125ºC			6	mA
	上电时间	从 V_S > 3V 到有效输出的时间		25		ms

(1) 排除外部磁场的影响。有关计算由外部磁场引起的误差的详细信息，请参阅精度参数部分。

(3) RTI = 以输入为参考。输出电压除以器件灵敏度，以将信号与输入电流相关联。请参阅参数测量信息部分。

(4) 受结温热限制。当器件安装在 TMCS1108EVM 上时适用。更多详细信息，请参阅安全工作区部分。

(5) 基于三批 AEC-Q100 认证应力测试结果的寿命和环境漂移规格。典型值是来自最坏情况应力测试条件的总体平均值+1σ。最小值/最大值是被测器件总体平均值 ±6σ；在 AEC-Q100 认证中进行测试的器件在所有应力条件下都保持在最小/最大限值内。有关更多详细信息，请参阅寿命和环境稳定性。

(6) 有关器件频率和瞬态响应的详细信息，请参阅瞬态响应部分。

(7) 基于 TMCS1108EVM PCB 布局的中心化参数。请参阅布局部分。器件必须在最高结温以下运行。