ZHCSIF4D June 2018 – September 2022 TMP117
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
为防止意外编程,EEPROM 默认处于锁定状态。锁定后,对寄存器映射位置的任何 I2C 写入将仅在易失性寄存器上执行,不在 EEPROM 上执行。
图 7-7 显示了介绍 EEPROM 编程序列的流程图。若要对 EEPROM 进行编程,请首先通过设置 EEPROM 解锁寄存器中的 EUN 位来解锁 EEPROM。解锁 EEPROM 后,对寄存器映射位置的任何后续 I2C 写入都会对 EEPROM 中一个相应的非易失性存储器位置进行编程。对单个位置进行编程通常需要 7ms 并消耗 230µA 电流。在编程完成之前,请勿执行任何 I2C 写入操作。编程期间会设置 EEPROM_busy 标志。读取此标志以监测编程是否完成。对所需数据编程完毕后,发出通用广播复位命令以触发软件复位。来自 EEPROM 的编程数据随后将作为复位序列的一部分加载到相应的寄存器映射位置。此命令还会清除 EUN 位并自动锁定 EEPROM 以防止任何进一步的意外编程操作。请避免在 EEPROM 处于解锁状态时使用器件来执行温度转换。