ZHCSM33C february   2022  – may 2023 TMP1826

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 说明（续）
  7. 6 器件比较
  8. 7 引脚配置和功能
  9. 8 规格
    1. 8.1 绝对最大额定值
    2. 8.2 ESD 等级
    3. 8.3 建议运行条件
    4. 8.4 热性能信息
    5. 8.5 电气特性
    6. 8.6 1-Wire 接口时序
    7. 8.7 EEPROM 特性
    8. 8.8 时序图
    9. 8.9 典型特性
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1  上电
      2. 9.3.2  电源模式开关
      3. 9.3.3  总线上拉电阻器
      4. 9.3.4  温度结果
      5. 9.3.5  温度偏移
      6. 9.3.6  温度警报
      7. 9.3.7  标准器件地址
        1. 9.3.7.1 唯一 64 位器件地址和 ID
      8. 9.3.8  灵活器件地址
        1. 9.3.8.1 非易失性短地址
        2. 9.3.8.2 IO 硬件地址
        3. 9.3.8.3 电阻地址
        4. 9.3.8.4 合并的 IO 和电阻地址
      9. 9.3.9  CRC 生成
      10. 9.3.10 功能寄存器映射
      11. 9.3.11 用户存储器映射
      12. 9.3.12 位通信
        1. 9.3.12.1 主机写入，器件读取
        2. 9.3.12.2 主机读取，器件写入
      13. 9.3.13 总线速度
      14. 9.3.14 NIST 可追溯性
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 转换模式
        1. 9.4.1.1 基本单次转换模式
        2. 9.4.1.2 自动转换模式
        3. 9.4.1.3 堆叠式转换模式
        4. 9.4.1.4 连续转换模式
      2. 9.4.2 警报功能
        1. 9.4.2.1 警报模式
        2. 9.4.2.2 比较器模式
      3. 9.4.3 1-Wire 接口通信
        1. 9.4.3.1 总线复位相
        2. 9.4.3.2 地址相
          1. 9.4.3.2.1 READADDR (33h)
          2. 9.4.3.2.2 MATCHADDR (55h)
          3. 9.4.3.2.3 SEARCHADDR (F0h)
          4. 9.4.3.2.4 ALERTSEARCH (ECh)
          5. 9.4.3.2.5 SKIPADDR (CCh)
          6. 9.4.3.2.6 OVD SKIPADDR (3Ch)
          7. 9.4.3.2.7 OVD MATCHADDR (69h)
          8. 9.4.3.2.8 FLEXADDR (0Fh)
        3. 9.4.3.3 功能相
          1. 9.4.3.3.1  CONVERTTEMP (44h)
          2. 9.4.3.3.2  WRITE SCRATCHPAD-1 (4Eh)
          3. 9.4.3.3.3  READ SCRATCHPAD-1 (BEh)
          4. 9.4.3.3.4  COPY SCRATCHPAD-1 (48h)
          5. 9.4.3.3.5  WRITE SCRATCHPAD-2 (0Fh)
          6. 9.4.3.3.6  READ SCRATCHPAD-2 (AAh)
          7. 9.4.3.3.7  COPY SCRATCHPAD-2 (55h)
          8. 9.4.3.3.8  READ EEPROM (F0h)
          9. 9.4.3.3.9  GPIO WRITE (A5h)
          10. 9.4.3.3.10 GPIO READ (F5h)
      4. 9.4.4 NVM 运营
        1. 9.4.4.1 对用户数据编程
        2. 9.4.4.2 寄存器和存储器保护
          1. 9.4.4.2.1 暂存区 1 寄存器保护
          2. 9.4.4.2.2 用户存储器保护
    5. 9.5 编程
      1. 9.5.1 单器件温度转换和读取
      2. 9.5.2 多器件温度转换和读取
      3. 9.5.3 寄存器暂存区 1 更新和提交
      4. 9.5.4 单器件 EEPROM 编程和验证
      5. 9.5.5 单器件 EEPROM 页面锁定操作
      6. 9.5.6 多器件 IO 读取
      7. 9.5.7 多器件 IO 写入
    6. 9.6 寄存器映射
      1. 9.6.1  温度结果 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 00h) [复位 = 00h]
      2. 9.6.2  温度结果 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 01h) [复位 = 00h]
      3. 9.6.3  状态寄存器（暂存-1 偏移 = 02h) [复位 = 3Ch]
      4. 9.6.4  器件配置-1 寄存器（暂存-1 偏移 = 04h) [复位 = 70h]
      5. 9.6.5  器件配置-2 寄存器（暂存-1 偏移 = 05h) [复位 = 80h]
      6. 9.6.6  短地址寄存器（暂存-1 偏移 = 06h) [复位 = 00h]
      7. 9.6.7  温度警报低 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 08h) [复位 = 00h]
      8. 9.6.8  温度警报低 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 09h) [复位 = 00h]
      9. 9.6.9  温度警报高 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Ah) [复位 = F0h]
      10. 9.6.10 温度警报高 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Bh) [复位 = 07h]
      11. 9.6.11 温度偏移 LSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Ch) [复位 = 00h]
      12. 9.6.12 温度偏移 MSB 寄存器（暂存-1 偏移 = 0Dh) [复位 = 00h]
      13. 9.6.13 IO 读取寄存器 [复位 = F0h]
      14. 9.6.14 IO 配置寄存器 [复位 = 00h]
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 总线供电应用
        1. 10.2.1.1 设计要求
        2. 10.2.1.2 详细设计过程
      2. 10.2.2 电源供电类应用
        1. 10.2.2.1 设计要求
        2. 10.2.2.2 详细设计过程
      3. 10.2.3 UART 通信接口
        1. 10.2.3.1 设计要求
        2. 10.2.3.2 详细设计过程
    3. 10.3 电源相关建议
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (December 2022)to RevisionC (May 2023)

  • 删除了 WSON 封装选项的预发布说明Go
  • 添加了器件比较表Go
  • 更改了脚注 2 中标准速度模式的最大工作温度范围Go
  • 将 +10°C 至 +45°C 时的 NGR 封装最大精度从 ±0.3°C 更改为 ±0.2°C，整个范围从 ±1.0°C 更改为 ±0.4°CGo
  • 将 IO 的 VIL 从 0.2×VS 更改为 0.3×VS Go
  • 将 IO 的 VIH 从 0.8×VS 更改为 0.7×VS Go
  • 添加了连续转换模式的待机电流规格Go
  • 将标准模式下的 tSLOT 最小值从 60µs 更改为 tWR0L + tRC Go
  • 删除了标准模式下的 tSLOT 最大值Go
  • 将过驱模式下的 tSLOT 最小值从 11µs 更改为 tWR0L + tRC Go
  • 将过驱速度下的 tREC 从 10µs 更改为 2µsGo
  • 将 tRL 最小值从 2µs 更改为 2.5µsGo
  • 将 tREADIDLE 从 400µs 更改为 560µsGo
  • 将 IDD_PROG 从 214µA 更改为 230µAGo
  • 为 VDD 供电模式添加了连续转换模式Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (September 2022)to RevisionB (December 2022)

  • 将 DGK (VSSOP) 封装状态从“预告信息”更改为“量产数据”Go
  • 向特性 部分添加了功能安全信息Go
  • 将整个范围的 DGK 封装最大精度从 ±1.0°C 更改为 ±0.5°CGo
  • 将过驱速度下的 tREC 从 2µs 更改为 10µsGo
  • 添加了 125°C 下的最小 EEPROM 耐久性规格Go
  • 从 GPIO 写入 部分删除了 GPIO 读取和 CRC 字节Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (February 2022)to RevisionA (September 2022)

  • 添加了 WSON 封装选项Go
  • 添加了 WSON 封装的引脚排列Go
  • 将工作环境温度更新为 -55°C 至 150°CGo
  • 添加了长期稳定性和漂移规格Go
  • 添加了温度循环和迟滞规格Go
  • 添加了响应时间规格Go
  • 将待机电流更改为 1.6µAGo
  • 将电源上升时的上电复位阈值从典型值 1.25V 更改为最小值 1.5VGo
  • 将电源下降时的上电复位阈值从典型值 1.15V 更改为最大值 1.3VGo
  • 添加了 EEPROM 的典型耐久性规格Go
  • 添加了灵活的器件地址 部分Go
  • 添加了有关标准总线速度和过驱总线速度的部分Go
  • 添加了 FLEXADDR 地址命令Go
  • 添加了 FLEXADDR 地址命令的说明Go
  • 更新了 TEMP_RESULT_L 和 TEMP_RESULT_H 寄存器的复位值Go
  • 在 STATUS_REG 中添加了 DATA_READY 标志Go
  • 在 CONFIG_REG2 寄存器中添加了 FLEX_ADDR_MODE 位Go
  • 将 STACKMODE_ADDR 更新为 SHORT_ADDR 寄存器Go
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