TMP63 硅线性热敏电阻具有线性正温度系数 (PTC)，可在宽工作温度范围内实现一致、稳定的温度系数电阻 (TCR)。TI 使用特殊的硅工艺，其中掺杂水平和有源区器件控制关键特性（温度系数电阻 (TCR) 和标称电阻 (R25)）。该器件具有有源区和由于极化端子而形成的衬底。将正极端子连接到最高电压电位。将负极端子连接到最低电压电位。

与纯阻性器件 NTC 不同，TMP63 电阻受器件中电流的影响，并且电阻会随温度变化而变化。在分压器电路中，建议将顶部电阻值保持在 100kΩ。更改顶部电阻值或 V_BIAS 值会改变 TMP63 的电阻与温度关系表（R-T 表），并随后改变Topic Link Label9.2.1.1中所述的多项式。请参阅Topic Link Label8.3.1了解详情。

Equation1 可以帮助用户估算 TCR。

关键术语和定义：

• I_SNS：流经 TMP63 器件的电流
• V_SNS：两个 TMP63 端子之间的电压
• I_BIAS：由偏置电路提供的电流。
• V_BIAS：由偏置电路提供的电压。
• V_TEMP：与测得温度对应的输出电压。请注意，它与 V_SNS 不同。在使用分压电路且 TMP63 处于高侧的情况下，V_TEMP 是在 R_BIAS 上测得的电压。