ZHCSR52B October 2022 – November 2023 TMS320F2800132 , TMS320F2800133 , TMS320F2800135 , TMS320F2800137
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
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工作模式 | |||||||
IDD | 运行期间的 VDD 电流消耗 | 这是典型重负载应用中电流的估算值。实际电流会因系统活动、I/O 电气负载和开关频率而异。这包括启用内部 Vreg 时的内核电源电流。 - CPU 从 RAM 运行 - 闪存加电 - X1/X2 晶振加电 - PLL 被启用,SYSCLK=最大器件频率 - 模拟模块加电 - 输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入是静态高电平或低电平 |
30℃ | 35 | mA | ||
85℃ | 42 | mA | |||||
125℃ | 49.5 | mA | |||||
IDDIO | 运行期间的 VDDIO 电流消耗 | 30℃ | 5.8 | mA | |||
85℃ | 5.8 | mA | |||||
125℃ | 5.8 | mA | |||||
IDDA | 运行期间的 VDDA 电流消耗 | 30℃ | 1.6 | mA | |||
85℃ | 2 | mA | |||||
125℃ | 2.5 | mA | |||||
空闲模式 | |||||||
IDD | 器件处于空闲模式时的 VDD 电流消耗 | - CPU 处于空闲模式 - 闪存断电 - PLL 被启用,SYSCLK=最大器件频率,CPUCLK 被选通 - X1/X2晶振被加电 - 模拟模块被断电 - 输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入为静态高电平或低电平 |
30℃ | 14 | mA | ||
85℃ | 19 | mA | |||||
125℃ | 26 | mA | |||||
IDDIO | 器件处于空闲模式时的 VDDIO 电流消耗 | 30℃ | 3.9 | mA | |||
85℃ | 3.9 | mA | |||||
125℃ | 3.9 | mA | |||||
IDDA | 器件处于空闲模式时的 VDDA 电流消耗 | 30℃ | 0.01 | mA | |||
85℃ | 0.1 | mA | |||||
125℃ | 0.1 | mA | |||||
待机模式(PLL 启用) | |||||||
IDD | 器件处于待机模式时的 VDD 电流消耗 | - CPU 处于待机模式 - 闪存断电 - PLL 被启用,SYSCLK 和 CPUCLK 会选通 - X1/X2 晶振断电 - 模拟模块断电 - 输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入为静态高电平或低电平 |
30℃ | 3.6 | mA | ||
85℃ | 7.6 | mA | |||||
125℃ | 17 | mA | |||||
IDDIO | 器件处于待机模式时的 VDDIO 电流消耗 | 30℃ | 3.9 | mA | |||
85℃ | 3.9 | mA | |||||
125℃ | 3.9 | mA | |||||
IDDA | 器件处于待机模式时的 VDDA 电流消耗 | 30℃ | 0.01 | mA | |||
85℃ | 0.1 | mA | |||||
125℃ | 0.1 | mA | |||||
待机模式(PLL 禁用) | |||||||
IDD | 器件处于待机模式时的 VDD 电流消耗 | - CPU 处于待机模式 - 闪存断电 - PLL 被禁用,SYSCLK 和 CPUCLK 会选通 - X1/X2 晶振断电 - 模拟模块断电 - 输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入为静态高电平或低电平 |
30℃ | 2.6 | mA | ||
85℃ | 6.6 | mA | |||||
125℃ | 13.5 | mA | |||||
IDDIO | 器件处于待机模式时的 VDDIO 电流消耗 | 30℃ | 3.1 | mA | |||
85℃ | 3.1 | mA | |||||
125℃ | 3.1 | mA | |||||
IDDA | 器件处于待机模式时的 VDDA 电流消耗 | 30℃ | 0.01 | mA | |||
85℃ | 0.1 | mA | |||||
125℃ | 0.1 | mA | |||||
停机模式 | |||||||
IDD | 器件处于停机模式时的 VDD 电流消耗 | - CPU 处于停机模式 - 闪存被断电 - PLL 被禁用,SYSCLK 和 CPUCLK 被选通 - X1/X2 晶振被断电 - 模拟模块被断电 - 输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入为静态高电平或低电平 |
30℃ | 2.4 | mA | ||
85℃ | 6.2 | mA | |||||
125℃ | 13.2 | mA | |||||
IDDIO | 器件处于停机模式时的 VDDIO 电流消耗 | 30℃ | 3.1 | mA | |||
85℃ | 3.1 | mA | |||||
125℃ | 3.1 | mA | |||||
IDDA | 器件处于停机模式时的 VDDA 电流消耗 | 30℃ | 0.01 | mA | |||
85℃ | 0.1 | mA | |||||
125℃ | 0.1 | mA | |||||
闪存擦除/编程 | |||||||
IDD | 擦除/编程周期期间的 VDD 流耗(1) | - CPU 从 RAM 运行 - 闪存进行连续编程/擦除操作 - PLL 被启用,SYSCLK 为 100MHz。 - 外设时钟被关闭。 - X1/X2 晶振加电 - 模拟器件断电 - 输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入为静态高电平或低电平 |
32 | 50 | mA | ||
IDDIO | 擦除/编程周期期间的 VDDIO 电流消耗(1) | 13 | 17 | mA | |||
IDDA | 擦除/编程周期期间的 VDDA 电流消耗 | 0.1 | 2.5 | mA | |||
复位模式 | |||||||
IDD | 复位激活时的 VDD 电流消耗(2) | 器件正在复位 | 30℃ | 2.2 | mA | ||
85℃ | 4.2 | mA | |||||
125℃ | 8.7 | mA | |||||
IDDIO | 复位处于活动状态时的 VDDIO 电流消耗(2) | 30℃ | 5 | mA | |||
85℃ | 5 | mA | |||||
125℃ | 5 | mA | |||||
IDDA | 复位处于活动状态时的 VDDA 电流消耗(2) | 30℃ | 0.01 | mA | |||
85℃ | 0.01 | mA | |||||
125℃ | 0.01 | mA |