ZHCSRN5B January   2023  – November 2023 TMS320F2800152-Q1 , TMS320F2800153-Q1 , TMS320F2800154-Q1 , TMS320F2800155 , TMS320F2800155-Q1 , TMS320F2800156-Q1 , TMS320F2800157 , TMS320F2800157-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 4 器件比较
    1. 4.1 相关米6体育平台手机版_好二三四
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性
    3. 5.3 信号说明
      1. 5.3.1 模拟信号
      2. 5.3.2 数字信号
      3. 5.3.3 电源和接地
      4. 5.3.4 测试、JTAG 和复位
    4. 5.4 引脚复用
      1. 5.4.1 GPIO 多路复用引脚
        1. 5.4.1.1 GPIO 多路复用引脚
      2. 5.4.2 ADC 引脚上的数字输入 (AIO)
      3. 5.4.3 ADC 引脚上的数字输入和输出 (AGPIO)
      4. 5.4.4 GPIO 输入 X-BAR
      5. 5.4.5 GPIO 输出 X-BAR 和 ePWM X-BAR
    5. 5.5 带有内部上拉和下拉的引脚
    6. 5.6 未使用引脚的连接
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级 - 商用
    3. 6.3  ESD 等级 - 汽车
    4. 6.4  建议运行条件
    5. 6.5  功耗摘要
      1. 6.5.1 系统电流消耗 - 启用 VREG - 内部电源
      2. 6.5.2 系统电流消耗 - 禁用 VREG - 外部电源
      3. 6.5.3 工作模式测试说明
      4. 6.5.4 电流消耗图
      5. 6.5.5 减少电流消耗
        1. 6.5.5.1 每个禁用外设的典型电流降低
    6. 6.6  电气特性
    7. 6.7  PN 封装的热阻特性
    8. 6.8  PM 封装的热阻特性
    9. 6.9  PHP 封装的热阻特性
    10. 6.10 RHB 封装的热阻特性
    11. 6.11 散热设计注意事项
    12. 6.12 AEC-Q100 0 级热设计注意事项
      1. 6.12.1 简单降频
      2. 6.12.2 动态降频
      3. 6.12.3 闪存注意事项
    13. 6.13 系统
      1. 6.13.1  电源管理模块 (PMM)
        1. 6.13.1.1 引言
        2. 6.13.1.2 概述
          1. 6.13.1.2.1 电源轨监视器
            1. 6.13.1.2.1.1 I/O POR（上电复位）监视器
            2. 6.13.1.2.1.2 I/O BOR（欠压复位）监视器
            3. 6.13.1.2.1.3 VDD POR（上电复位）监视器
          2. 6.13.1.2.2 外部监控器使用情况
          3. 6.13.1.2.3 延迟块
          4. 6.13.1.2.4 内部 1.2V LDO 稳压器 (VREG)
          5. 6.13.1.2.5 VREGENZ
        3. 6.13.1.3 外部元件
          1. 6.13.1.3.1 去耦电容器
            1. 6.13.1.3.1.1 VDDIO 去耦
            2. 6.13.1.3.1.2 VDD 去耦
        4. 6.13.1.4 电源时序
          1. 6.13.1.4.1 电源引脚联动
          2. 6.13.1.4.2 信号引脚电源序列
          3. 6.13.1.4.3 电源引脚电源序列
            1. 6.13.1.4.3.1 外部 VREG/VDD 模式序列
            2. 6.13.1.4.3.2 内部 VREG/VDD 模式序列
            3. 6.13.1.4.3.3 电源时序摘要和违规影响
            4. 6.13.1.4.3.4 电源压摆率
        5. 6.13.1.5 建议运行条件对 PMM 的适用性
        6. 6.13.1.6 电源管理模块电气数据和时序
          1. 6.13.1.6.1 电源管理模块运行条件
          2. 6.13.1.6.2 电源管理模块特征
      2. 6.13.2  复位时序
        1. 6.13.2.1 复位源
        2. 6.13.2.2 复位电气数据和时序
          1. 6.13.2.2.1 复位 - XRSn - 时序要求
          2. 6.13.2.2.2 复位 - XRSn - 开关特性
          3. 6.13.2.2.3 复位时序图
      3. 6.13.3  时钟规格
        1. 6.13.3.1 时钟源
        2. 6.13.3.2 时钟频率、要求和特性
          1. 6.13.3.2.1 输入时钟频率和时序要求，PLL 锁定时间
            1. 6.13.3.2.1.1 输入时钟频率
            2. 6.13.3.2.1.2 XTAL 振荡器特征
            3. 6.13.3.2.1.3 使用外部时钟源（非晶体）时的 X1 输入电平特性
            4. 6.13.3.2.1.4 X1 时序要求
            5. 6.13.3.2.1.5 AUXCLKIN 时序要求
            6. 6.13.3.2.1.6 APLL 特性
            7. 6.13.3.2.1.7 XCLKOUT 开关特性 - 旁路或启用 PLL
            8. 6.13.3.2.1.8 内部时钟频率
        3. 6.13.3.3 输入时钟和 PLL
        4. 6.13.3.4 XTAL 振荡器
          1. 6.13.3.4.1 引言
          2. 6.13.3.4.2 概述
            1. 6.13.3.4.2.1 电子振荡器
              1. 6.13.3.4.2.1.1 运行模式
                1. 6.13.3.4.2.1.1.1 晶体的工作模式
                2. 6.13.3.4.2.1.1.2 单端工作模式
              2. 6.13.3.4.2.1.2 XCLKOUT 上的 XTAL 输出
            2. 6.13.3.4.2.2 石英晶体
            3. 6.13.3.4.2.3 GPIO 工作模式
          3. 6.13.3.4.3 正常运行
            1. 6.13.3.4.3.1 ESR – 有效串联电阻
            2. 6.13.3.4.3.2 Rneg - 负电阻
            3. 6.13.3.4.3.3 启动时间
              1. 6.13.3.4.3.3.1 X1/X2 前提条件
            4. 6.13.3.4.3.4 DL – 驱动电平
          4. 6.13.3.4.4 如何选择晶体
          5. 6.13.3.4.5 测试
          6. 6.13.3.4.6 常见问题和调试提示
          7. 6.13.3.4.7 晶体振荡器规格
            1. 6.13.3.4.7.1 晶体振荡器电气特性
            2. 6.13.3.4.7.2 晶振等效串联电阻 (ESR) 要求
            3. 6.13.3.4.7.3 晶体振荡器参数
            4. 6.13.3.4.7.4 晶体振荡器电气特性
        5. 6.13.3.5 内部振荡器
          1. 6.13.3.5.1 INTOSC 特性
          2. 6.13.3.5.2 INTOSC2 与外部精密电阻 (ExtR) 搭配使用
      4. 6.13.4  闪存参数
        1. 6.13.4.1 闪存参数 
      5. 6.13.5  RAM 规格
      6. 6.13.6  ROM 规格
      7. 6.13.7  仿真/JTAG
        1. 6.13.7.1 JTAG 电气数据和时序
          1. 6.13.7.1.1 JTAG 时序要求
          2. 6.13.7.1.2 JTAG 开关特征
          3. 6.13.7.1.3 JTAG 时序图
        2. 6.13.7.2 cJTAG 电气数据和时序
          1. 6.13.7.2.1 cJTAG 时序要求
          2. 6.13.7.2.2 cJTAG 开关特性
          3. 6.13.7.2.3 cJTAG 时序图
      8. 6.13.8  GPIO 电气数据和时序
        1. 6.13.8.1 GPIO - 输出时序
          1. 6.13.8.1.1 通用输出开关特征
          2. 6.13.8.1.2 通用输出时序图
        2. 6.13.8.2 GPIO - 输入时序
          1. 6.13.8.2.1 通用输入时序要求
          2. 6.13.8.2.2 采样模式
        3. 6.13.8.3 输入信号的采样窗口宽度
      9. 6.13.9  中断
        1. 6.13.9.1 外部中断 (XINT) 电气数据和时序
          1. 6.13.9.1.1 外部中断时序要求
          2. 6.13.9.1.2 外部中断开关特性
          3. 6.13.9.1.3 外部中断时序
      10. 6.13.10 低功率模式
        1. 6.13.10.1 时钟门控低功耗模式
        2. 6.13.10.2 低功耗模式唤醒时序
          1. 6.13.10.2.1 空闲模式时序要求
          2. 6.13.10.2.2 空闲模式开关特性
          3. 6.13.10.2.3 空闲进入和退出时序图
          4. 6.13.10.2.4 待机模式时序要求
          5. 6.13.10.2.5 待机模式开关特征
          6. 6.13.10.2.6 待机模式进入和退出时序图
          7. 6.13.10.2.7 停机模式时序要求
          8. 6.13.10.2.8 停机模式开关特征
          9. 6.13.10.2.9 停机模式进入和退出时序图
    14. 6.14 模拟外设
      1. 6.14.1 模拟引脚和内部连接
      2. 6.14.2 模拟信号说明
      3. 6.14.3 模数转换器 (ADC)
        1. 6.14.3.1 ADC 可配置性
          1. 6.14.3.1.1 信号模式
        2. 6.14.3.2 ADC 电气数据和时序
          1. 6.14.3.2.1 ADC 运行条件
          2. 6.14.3.2.2 ADC 特性
          3. 6.14.3.2.3 每个引脚的 ADC 性能
          4. 6.14.3.2.4 ADC 输入模型
          5. 6.14.3.2.5 ADC 时序图
      4. 6.14.4 温度传感器
        1. 6.14.4.1 温度传感器电气数据和时序
          1. 6.14.4.1.1 温度传感器特征
      5. 6.14.5 比较器子系统 (CMPSS)
        1. 6.14.5.1 CMPSS 模块型号
        2. 6.14.5.2 CMPx_DACL
        3. 6.14.5.3 CMPSS 连接图
        4. 6.14.5.4 方框图
        5. 6.14.5.5 CMPSS 电气数据和时序
          1. 6.14.5.5.1 CMPSS 比较器电气特性
          2. 6.14.5.5.2 CMPSS_LITE 比较器电气特性
          3.        CMPSS 比较器以输入为基准的偏移量和迟滞
          4. 6.14.5.5.3 CMPSS DAC 静态电气特性
          5. 6.14.5.5.4 CMPSS_LITE DAC 静态电气特性
          6. 6.14.5.5.5 CMPSS 示意图
          7. 6.14.5.5.6 CMPSS DAC 动态误差
          8. 6.14.5.5.7 CMPx_DACL 缓冲输出的运行条件
          9. 6.14.5.5.8 CMPx_DACL 缓冲输出的电气特性
    15. 6.15 控制外设
      1. 6.15.1 增强型脉宽调制器 (ePWM)
        1. 6.15.1.1 控制外设同步
        2. 6.15.1.2 ePWM 电气数据和时序
          1. 6.15.1.2.1 ePWM 时序要求
          2. 6.15.1.2.2 ePWM 开关特性
          3. 6.15.1.2.3 跳闸区输入时序
            1. 6.15.1.2.3.1 跳闸区域输入时序要求
            2. 6.15.1.2.3.2 PWM 高阻态特征时序图
      2. 6.15.2 高分辨率脉宽调制器 (HRPWM)
        1. 6.15.2.1 HRPWM 电气数据和时序
          1. 6.15.2.1.1 高分辨率 PWM 特征
      3. 6.15.3 外部 ADC 转换启动电气数据和时序
        1. 6.15.3.1 外部 ADC 转换启动开关特性
        2. 6.15.3.2 ADCSOCAO 或ADCSOCBO 时序图
      4. 6.15.4 增强型捕获 (eCAP)
        1. 6.15.4.1 eCAP 方框图
        2. 6.15.4.2 eCAP 同步
        3. 6.15.4.3 eCAP 电气数据和时序
          1. 6.15.4.3.1 eCAP 时序要求
          2. 6.15.4.3.2 eCAP 开关特性
      5. 6.15.5 增强型正交编码器脉冲 (eQEP)
        1. 6.15.5.1 eQEP 电气数据和时序
          1. 6.15.5.1.1 eQEP 时序要求
          2. 6.15.5.1.2 eQEP 开关特性
    16. 6.16 通信外设
      1. 6.16.1 控制器局域网 (CAN)
      2. 6.16.2 模块化控制器局域网 (MCAN)
      3. 6.16.3 内部集成电路 (I2C)
        1. 6.16.3.1 I2C 电气数据和时序
          1. 6.16.3.1.1 I2C 时序要求
          2. 6.16.3.1.2 I2C 开关特征
          3. 6.16.3.1.3 I2C 时序图
      4. 6.16.4 电源管理总线 (PMBus) 接口
        1. 6.16.4.1 PMBus 电气数据和时序
          1. 6.16.4.1.1 PMBus 电气特性
          2. 6.16.4.1.2 PMBus 快速模式开关特性
          3. 6.16.4.1.3 PMBus 标准模式开关特性
      5. 6.16.5 串行通信接口 (SCI)
      6. 6.16.6 串行外设接口 (SPI)
        1. 6.16.6.1 SPI 主器件模式时序
          1. 6.16.6.1.1 SPI 主模式时序要求
          2. 6.16.6.1.2 SPI 主模式开关特性 - 时钟相位 0
          3. 6.16.6.1.3 SPI 主模式开关特性 - 时钟相位 1
          4. 6.16.6.1.4 SPI 主器件模式时序图
        2. 6.16.6.2 SPI 从器件模式时序
          1. 6.16.6.2.1 SPI 从模式时序要求
          2. 6.16.6.2.2 SPI 从模式开关特性
          3. 6.16.6.2.3 SPI 从器件模式时序图
      7. 6.16.7 本地互连网络 (LIN)
  8. 7 详细说明
    1. 7.1  概述
    2. 7.2  功能方框图
    3. 7.3  存储器
      1. 7.3.1 内存映射
        1. 7.3.1.1 专用 RAM (Mx RAM)
        2. 7.3.1.2 本地共享 RAM (LSx RAM)
      2. 7.3.2 闪存存储器映射
      3. 7.3.3 外设寄存器内存映射
    4. 7.4  标识
    5. 7.5  C28x 处理器
      1. 7.5.1 浮点单元 (FPU)
      2. 7.5.2 三角法数学单元 (TMU)
      3. 7.5.3 VCRC 单元
      4. 7.5.4 锁步比较模块 (LCM)
    6. 7.6  器件引导模式
      1. 7.6.1 器件引导配置
        1. 7.6.1.1 配置引导模式引脚
        2. 7.6.1.2 配置引导模式表选项
      2. 7.6.2 GPIO 分配
    7. 7.7  安全性
      1. 7.7.1 保护芯片边界
        1. 7.7.1.1 JTAGLOCK
        2. 7.7.1.2 零引脚引导
      2. 7.7.2 双区域安全
      3. 7.7.3 免责声明
    8. 7.8  看门狗
    9. 7.9  C28x 计时器
    10. 7.10 双路时钟比较器 (DCC)
      1. 7.10.1 特性
      2. 7.10.2 DCCx 时钟源中断的映射
    11. 7.11 功能安全
  9. 8 应用、实现和布局
    1. 8.1 应用和实施
    2. 8.2 器件主要特性
    3. 8.3 应用信息
      1. 8.3.1 典型应用
        1. 8.3.1.1 车载充电器 (OBC)
          1. 8.3.1.1.1 系统方框图
          2. 8.3.1.1.2 OBC 资源
        2. 8.3.1.2 汽车泵
          1. 8.3.1.2.1 系统方框图
          2. 8.3.1.2.2 汽车泵技术资源
        3. 8.3.1.3 正温度系数 (PTC) 加热器
          1. 8.3.1.3.1 系统方框图
          2. 8.3.1.3.2 PTC 资源
        4. 8.3.1.4 汽车 HVAC 压缩机
          1. 8.3.1.4.1 系统方框图
          2. 8.3.1.4.2 汽车 HVAC 压缩机资源
        5. 8.3.1.5 单相在线交互式不间断电源 (UPS)
          1. 8.3.1.5.1 系统方框图
          2. 8.3.1.5.2 单相在线交互式 UPS 资源
        6. 8.3.1.6 交流驱动器功率级模块
          1. 8.3.1.6.1 系统方框图
          2. 8.3.1.6.2 交流驱动器功率级模块资源
        7. 8.3.1.7 服务器或电信电源单元 (PSU)
          1. 8.3.1.7.1 系统方框图
          2. 8.3.1.7.2 服务器或电信 PSU 资源
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 入门和后续步骤
    2. 9.2 器件命名规则
    3. 9.3 标识
    4. 9.4 工具与软件
    5. 9.5 文档支持
    6. 9.6 支持资源
    7. 9.7 商标
    8. 9.8 静电放电警告
    9. 9.9 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RHB|32
  • PM|64
  • PN|80
  • PHP|48
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5.1 系统电流消耗 - 启用 VREG - 内部电源

在建议运行条件下测得（除非另有说明）
典型值：Vnom，显示的温度为 TJ
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
工作模式
IDDIO 运行期间的 VDDIO 电流消耗 这是典型重负载应用中电流的估算值。实际电流会因系统活动、I/O 电气负载和开关频率而异。这包括启用内部 Vreg 时的内核电源电流。

- CPU 从 RAM 运行
- 闪存加电
- X1/X2 晶振加电
- PLL 被启用，SYSCLK=最大器件频率
- 模拟模块加电
- 输出在没有直流负载的情况下是静态
- 输入是静态高电平或低电平
 		 30℃ 52 mA
85℃ 59.3 mA
125℃ 71.22 mA
143℃(3) 77.1 mA
155℃(4)(5) 44.1 mA
IDDA 运行期间的 VDDA 电流消耗 30℃ 1.6 mA
85℃ 2 mA
125℃ 2.5 mA
143℃(3) 2.5 mA
155℃(4)(5) 2.6 mA
空闲模式
IDDIO 器件处于空闲模式时的 VDDIO 电流消耗 - CPU 处于空闲模式
- 闪存断电
- PLL 被启用，SYSCLK=最大器件频率，CPUCLK 被选通
- X1/X2晶振被加电
- 模拟模块被断电
- 输出在没有直流负载的情况下是静态
- 输入为静态高电平或低电平		 30℃ 19.3 mA
85℃ 24 mA
125℃ 37.22 mA
134℃(3) 39.8 mA
155℃(4) 45.1 mA
IDDA 器件处于空闲模式时的 VDDA 电流消耗 30℃ 0.01 mA
85℃ 0.1 mA
125℃ 0.1 mA
134℃(3) 0.1 mA
155℃(4) 0.1 mA
待机模式（PLL 启用）
IDDIO 器件处于待机模式时的 VDDIO 电流消耗 - CPU 处于待机模式
- 闪存断电
- PLL 被启用，SYSCLK 和 CPUCLK 会选通
- X1/X2 晶振断电
- 模拟模块断电
- 输出在没有直流负载的情况下是静态
- 输入为静态高电平或低电平		 30℃ 7.6 mA
85℃ 11.8 mA
125℃ 23.82 mA
131℃(3) 25.5 mA
154℃(4) 31.8 mA
IDDA 器件处于待机模式时的 VDDA 电流消耗 30℃ 0.01 mA
85℃ 0.1 mA
125℃ 0.1 mA
131℃(3) 0.1 mA
154℃(4) 0.1 mA
待机模式（PLL 禁用）
IDDIO 器件处于待机模式时的 VDDIO 电流消耗 - CPU 处于待机模式
- 闪存断电
- PLL 被禁用，SYSCLK 和 CPUCLK 会选通
- X1/X2 晶振断电
- 模拟模块断电
- 输出在没有直流负载的情况下是静态
- 输入为静态高电平或低电平		 30℃ 5.8 mA
85℃ 10 mA
125℃ 22.92 mA
131℃(3) 24.5 mA
154℃(4) 29.7 mA
IDDA 器件处于待机模式时的 VDDA 电流消耗 30℃ 0.01 mA
85℃ 0.1 mA
125℃ 0.1 mA
131℃(3) 0.1 mA
154℃(4) 0.1 mA
停机模式
IDDIO 器件处于停机模式时的 VDDIO 电流消耗 - CPU 处于停机模式
- 闪存被断电
- PLL 被禁用，SYSCLK 和 CPUCLK 被选通
- X1/X2 晶振被断电
- 模拟模块被断电
- 输出在没有直流负载的情况下是静态
- 输入为静态高电平或低电平		 30℃ 5.3 mA
85℃ 9.5 mA
125℃ 22.52 mA
131℃(3) 24.1 mA
154℃(4) 29.2 mA
IDDA 器件处于停机模式时的 VDDA 电流消耗 30℃ 0.01 mA
85℃ 0.1 mA
125℃ 0.1 mA
131℃(3) 0.1 mA
154℃(4) 0.1 mA
闪存擦除/编程
IDDIO 擦除/编程周期期间的 VDDIO 电流消耗(1) - CPU 从 RAM 运行
- 闪存进行连续编程/擦除操作
- PLL 启用，SYSCLK = 最大器件频率。
- 关闭外设时钟。
- X1/X2 晶体上电
- 模拟器件断电
- 输出在没有直流负载的情况下为静态
- 输入为静态高电平或低电平
 

 		 65(6) 90(6) mA
IDDA 擦除/编程周期期间的 VDDA 电流消耗 0.1 2.6 mA
复位模式
IDDIO 复位处于活动状态时的 VDDIO 电流消耗(2)

 

 		 30℃ 7 mA
85℃ 10.7 mA
125℃ 17 mA
129℃(3) 17.8 mA
153℃(4) 24.3 mA
IDDA 复位处于活动状态时的 VDDA 电流消耗(2) 30℃ 0.01 mA
85℃ 0.01 mA
125℃ 0.01 mA
129℃(3) 0.01 mA
153℃(4) 0.01 mA
(1) 闪存编程期间的欠压事件可能会损坏闪存数据并永久锁定器件。使用备用电源（例如 USB 编程器）的编程环境必须能够为器件和其他系统组件提供额定电流，并留有足够的裕度以避免电源欠压情况。
(2) 这是复位激活（即 XRSn 为低电平）时的电流消耗。
(3) 显示的温度是 TJ，它是在给定电流下 TA 为 125°C（AEC-Q100 1 级）时发生的。TJ 上升到 TA 以上是由于电流消耗引起器件自发热而导致的。此 TJ 适用于所有封装。请参阅每个封装的热阻特性 部分，以了解用于计算因电流消耗而产生的自发热的值。
(4) 显示的温度是 TJ，它是在给定电流下 TA 为 150°C（AEC-Q100 0 级）时发生的。TJ 上升到 TA 以上是由于电流消耗引起器件自发热而导致的。此 TJ 适用于 48PHP 封装。请参阅每个封装的热阻特性 部分，以了解用于计算因电流消耗而产生的自发热的值。
(5) 器件 SYSCLK 频率降至 60MHz，以避免超过器件的 TJ 最大值规格。有关更多详细信息，请参阅 AEC-Q100 0 级热设计注意事项 部分。
(6) 连续擦除/编程脉冲将超过 TJ 最大值，必须避免。编程和擦除单个扇区不会导致热上升超过 TJ 最大值，并且可以在所有温度下进行。提供的电流为峰值擦除/编程脉冲电流。使用 AEC-Q100 0 级温度范围时，器件功耗不得超过大概 169mW（连续）。否则，将超出 TJ 最大值规格。为避免超过 T J 最大值，可以通过增加擦除/编程闪存脉冲之间的时间来减少消耗的平均闪存电流。这样，通过在擦除/编程脉冲期间发生的任何温度上升后，给予器件时间来冷却至环境温度，可以减少器件的总体自发热。
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