ZHCSL01C March 2020 – April 2024 TMS320F280021 , TMS320F280021-Q1 , TMS320F280023 , TMS320F280023-Q1 , TMS320F280023C , TMS320F280025 , TMS320F280025-Q1 , TMS320F280025C , TMS320F280025C-Q1
PRODUCTION DATA
PMP41081 使用 C2000™ 实时微控制器的 1kW、12V HHC LLC 参考设计
该参考设计是一款使用 C2000™ 微控制器的 1kW、400V 至 12V 半桥谐振直流/直流平台,用于评估混合迟滞控制 (HHC) 的负载瞬态性能。
具有有源钳位、功率密度 > 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计
此参考设计是基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB),旨在实现更高的功率密度。该设计具有一个有源钳位,可尽可能地减小次级同步整流器 MOSFET 的电压应力,以使用具有更好品质因数 (FoM) 的额定电压较低的 MOSFET。PMP23126 在初级侧使用我们的 30mΩ GaN,在次级侧使用硅 MOSFET。与 Si MOSFET 相比,LMG3522 顶部冷却 GaN 集成了驱动器和保护功能,可在更宽的工作范围内保持 ZVS,从而实现更高的效率。PSFB 以 100kHz 的频率运行,可实现 97.74% 的峰值效率。
PMP23069 功率密度 > 180W/in³ 的 3.6kW 单相图腾柱无桥 PFC 参考设计
此参考设计是一款基于 GaN 的 3.6kW 单相连续导通模式 (CCM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器,旨在实现更高的功率密度。此功率级之后是一个小型升压转换器,这有助于缩小大容量电容器的尺寸。LMG3522 采用 GaN 功率级顶部冷却封装,具有集成驱动器和保护功能,可实现更高的效率、缩小低电源尺寸和降低复杂性。F28004x 或 F28002x C2000™ 控制器可用于所有高级控制,包括快速继电器控制、交流压降事件期间的小幅升压运行、反向电流流动保护以及 PFC 和通用控制器之间的通信。PFC 在 65kHz 的开关频率下运行,可实现 98.7% 的峰值效率。
PMP41017 使用 GaN 和 C2000™ MCU 的 3kW 两相交错式半桥 LLC 参考设计
该参考设计是使用 LMG3422 和 C2000™ 器件的 3kW、两相交错式半桥电感器-电感器-电容器 (LLC)。
数控高效率和高功率密度 PFC 电路 - 第 2 部分(视频)
该演示将介绍两种使用 C2000 MCU 的无桥 PFC 设计。TI 高压 GaN 用于实现 3.3kW 交错式 CCM 图腾柱 PFC 和 1.6kW 交错式 TRM 图腾柱 PFC 设计。本书提供了详细的设计注意事项,以更大限度地降低开关损耗、电流交叉失真、输入电流 THD 并提高效率和 PF。
TIDA-010062 1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计
此参考设计是一种数字控制的紧凑型 1kW 交流/直流电源设计,适用于服务器电源单元 (PSU) 和通信电源整流器应用。该高效设计支持两个主要功率级,包括一个前端连续导通模式 (CCM) 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 级。PFC 级采用带有集成驱动器的 LMG341x GaN FET,可在较宽的负载范围内实现更高的效率,并且符合 80 Plus Titanium 要求。此设计还支持半桥 LLC 隔离式直流/直流级,以便在 1kW 功率下获得 +12V 直流输出。两个控制卡使用 C2000™ 入门级高性能 MCU 来控制两个功率级。
TIDM-1007 交错式 CCM 图腾柱 PFC 参考设计(视频)
此视频介绍了使用 C2000 微控制器控制图腾柱 PFC 所需的硬件要素、控制要素和软件设计。此演示中还介绍了在该参考设计上实现的测试结果。
变频、ZVS、5kW、基于 GaN 的两相图腾柱 PFC 参考设计
此参考设计是一种高密度、高效的 5kW 图腾柱功率因数校正 (PFC) 设计。设计采用两相图腾柱 PFC,能在可变频率和零电压开关 (ZVS) 条件下运行。控制器采用新拓扑和改进型三角电流模式 (iTCM),能够减小尺寸并提高效率。设计方案为在 TMS320F280049C 微控制器内使用高性能处理内核,可在广泛的工作范围内保证效率。PFC 的运行频率范围为 100kHz 至 800kHz。峰值系统效率为 99%,该数值在 120W/in3 开放式框架功率密度下实现。