ZHCSLT8C October 2021 – December 2023 TMS320F280034 , TMS320F280034-Q1 , TMS320F280036-Q1 , TMS320F280036C-Q1 , TMS320F280037 , TMS320F280037C , TMS320F280037C-Q1 , TMS320F280038C-Q1 , TMS320F280039-Q1 , TMS320F280039C , TMS320F280039C-Q1
PRODMIX
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
工作模式 | ||||||
IDD | 运行期间的 VDD 电流消耗 | 这是典型重负载应用中电流的估算值。实际电流会因系统活动、I/O 电气负载和开关频率而异。 - CPU 从 RAM 运行 - 闪存上电 - X1/X2 晶体上电 - PLL 被启用,SYSCLK=最大器件频率 - 模拟模块上电 - 输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入为静态高电平或低电平 |
73 | 103.5 | mA | |
IDDIO | 运行期间的 VDDIO 电流消耗 | 4 | 4.7 | mA | ||
IDDA | 运行期间的 VDDA 电流消耗 | 8 | 17.5 | mA | ||
空闲模式 | ||||||
IDD | 器件处于空闲模式时的 VDD 电流消耗 | - CPU 处于空闲模式 - 闪存断电 - PLL 被启用,SYSCLK=最大器件频率,CPUCLK 被选通 - X1/X2 晶体上电 - 模拟模块断电 - 输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入为静态高电平或低电平 |
25 | 48 | mA | |
IDDIO | 器件处于空闲模式时的 VDDIO 电流消耗 | 1.7 | 2.2 | mA | ||
IDDA | 器件处于空闲模式时的 VDDA 电流消耗 | 0.01 | 0.1 | mA | ||
待机模式 | ||||||
IDD | 器件处于待机模式时的 VDD 电流消耗 | - CPU 处于待机模式 - 闪存断电 - PLL 被启用,SYSCLK 和 CPUCLK 会选通 - X1/X2 晶体断电 - 模拟模块断电 - 输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入为静态高电平或低电平 |
11.6 | 35 | mA | |
IDDIO | 器件处于待机模式时的 VDDIO 电流消耗 | 1.7 | 2.3 | mA | ||
IDDA | 器件处于待机模式时的 VDDA 电流消耗 | 0.01 | 0.1 | mA | ||
停机模式 | ||||||
IDD | 器件处于停机模式时的 VDD 电流消耗 | - CPU 处于 HALT 模式 - 闪存断电 - PLL 被禁用,SYSCLK 和 CPUCLK 被选通 - X1/X2 晶体断电 - 模拟模块断电 - 输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入为静态高电平或低电平 |
8.5 | 31 | mA | |
IDDIO | 器件处于停机模式时的 VDDIO 电流消耗 | 0.8 | 1.2 | mA | ||
IDDA | 器件处于停机模式时的 VDDA 电流消耗 | 0.01 | 0.1 | mA | ||
闪存擦除/编程 | ||||||
IDD | 擦除/编程周期期间的 VDD 电流消耗(1) | - CPU 从 RAM 运行 - 闪存进行连续编程/擦除操作 - PLL 被启用,SYSCLK 为 120MHz。 - 外设时钟被关闭。 - X1/X2 晶体上电 - 模拟器件断电 -输出在没有直流负载的情况下是静态 - 输入为静态高电平或低电平 |
41 | 60.5 | mA | |
IDDIO | 擦除/编程周期期间的 VDDIO 电流消耗(1) | 31 | 45.5 | mA | ||
IDDA | 擦除/编程周期期间的 VDDA 电流消耗 | 0.1 | 2.5 | mA | ||
复位模式 | ||||||
IDD | 复位激活时的 VDD 电流消耗(2) | 3.3 | mA | |||
IDDIO | 复位激活时的 VDDIO 电流消耗(2) | 2.2 | mA | |||
IDDA | 复位激活时的 VDDA 电流消耗(2) | 0.1 | mA |