ZHCSGY3G January 2017 – January 2023 TMS320F280040-Q1 , TMS320F280040C-Q1 , TMS320F280041 , TMS320F280041-Q1 , TMS320F280041C , TMS320F280041C-Q1 , TMS320F280045 , TMS320F280048-Q1 , TMS320F280048C-Q1 , TMS320F280049 , TMS320F280049-Q1 , TMS320F280049C , TMS320F280049C-Q1
PRODUCTION DATA
内部直流/直流稳压器在将 3.3V 转换为 1.2V 时可提供比 LDO 更高的效率。内部直流/直流稳压器由 VDDIO_SW 引脚供电,并生成为 VDD 引脚供电所需的 1.2V 电压。要使用内部开关稳压器,内核域必须首先使用内部 LDO VREG 电源上电(将 VREGENZ 引脚绑定为低电平并连接至 VSS),然后通过应用软件设置 DCDCCTL 寄存器中的 DCDCEN 位以转换到直流/直流稳压器。由于 VREGENZ 控制直流/直流和 LDO,因此在转换后必须保持低电平。将 VREGENZ 绑定为高电平将禁用直流/直流和 LDO。直流/直流稳压器还需要外部元件(电感器、输入电容和输出电容)。内部直流/直流稳压器的输出不会在内部馈送到 VDD 电源轨,需要外部连接。图 7-8 所示为原理图实现情况。
VDDIO_SW 电源引脚 (VIN) 需要 3.3V 电平电压。VDDIO_SW 上需要总共 20µF 的输入电容 (CVDDIO_SW)。由于表 7-2 中详细说明的电容器规格要求,建议在配置中使用两个并联的 10μF 电容器。另外,还应在每个 VDD 引脚上放置 100nF 的去耦电容器,使其尽可能靠近器件。
值和变化范围 | 饱和时的值 | DCR | 额定电流 | 饱和电流 | 温度 |
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2.2µH ± 20% | 1.54µH ± 20% | 80mΩ ± 25% | >1000mA | >600mA | –40°C 至 125°C |
0V 时的值和变化范围 | 1.2V 时的值 | 125°C 时的值 | ESR | 额定电压 | 温度 |
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10µF ± 20% | 10µF ± 20% | 8µF ± 20% | <10mΩ | 4 V 或 6.3 V | –40°C 至 125°C |
组件 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 | 注意事项 |
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电感器 | 1.76 | 2.2 | 2.64 | µH | 20% 差异 |
输入电容 | 8 | 10 | 12 | µF | 20% 差异,并联两个此类电容器 |
输出电容器 | 8 | 10 | 12 | µF | 20% 差异,并联两个此类电容器 |