ZHCS864Q April   2009  – January 2024 TMS320F28030 , TMS320F28030-Q1 , TMS320F28031 , TMS320F28031-Q1 , TMS320F28032 , TMS320F28032-Q1 , TMS320F28033 , TMS320F28033-Q1 , TMS320F28034 , TMS320F28034-Q1 , TMS320F28035 , TMS320F28035-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 4 器件比较
    1. 4.1 相关米6体育平台手机版_好二三四
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 信号说明
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3  ESD 等级 - 商用
    4. 6.4  建议工作条件
    5. 6.5  功耗摘要
      1. 6.5.1 TMS320F2803x 在 60MHz SYSCLKOUT 下的电流消耗
      2. 6.5.2 减少电流消耗
      3. 6.5.3 流耗图（VREG 启用）
    6. 6.6  电气特性
    7. 6.7  热阻特性
      1. 6.7.1 PN 封装
      2. 6.7.2 PAG 封装
      3. 6.7.3 RSH 封装
    8. 6.8  散热设计注意事项
    9. 6.9  无信号缓冲情况下 MCU 与 JTAG 调试探针的连接
    10. 6.10 参数信息
      1. 6.10.1 时序参数符号
      2. 6.10.2 定时参数的通用注释
    11. 6.11 测试负载电路
    12. 6.12 电源时序
      1. 6.12.1 复位 (XRS) 时序要求
      2. 6.12.2 复位 (XRS) 开关特征
    13. 6.13 时钟规范
      1. 6.13.1 器件时钟表
        1. 6.13.1.1 2803x时钟表和命名规则（60MHz 器件）
        2. 6.13.1.2 器件计时要求/特性
        3. 6.13.1.3 内部零引脚振荡器 (INTOSC1/INTOSC2) 特性
      2. 6.13.2 时钟要求和特性
        1. 6.13.2.1 XCLKIN 定时要求 - PLL 已启用
        2. 6.13.2.2 XCLKIN 时序要求 - PLL 已禁用
        3. 6.13.2.3 XCLKOUT 开关特性（旁路或启用 PLL）
    14. 6.14 闪存定时
      1. 6.14.1 T 温度材料的闪存/OTP 耐久性
      2. 6.14.2 S 温度材料的闪存/OTP 耐久性
      3. 6.14.3 Q 温度材料的闪存/OTP 耐久性
      4. 6.14.4 60MHz SYSCLKOUT 下的闪存参数
      5. 6.14.5 闪存 / OTP 访问时序
      6. 6.14.6 闪存数据保持持续时间
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
      1. 7.1.1  CPU
      2. 7.1.2  控制律加速器 (CLA)
      3. 7.1.3  内存总线（哈弗总线架构）
      4. 7.1.4  外设总线
      5. 7.1.5  实时 JTAG 和分析
      6. 7.1.6  闪存
      7. 7.1.7  M0，M1 SARAM
      8. 7.1.8  L0 SARAM，和 L1，L2，和 L3 DPSARAM
      9. 7.1.9  引导 ROM
        1. 7.1.9.1 仿真引导
        2. 7.1.9.2 GetMode
        3. 7.1.9.3 引导加载器使用的外设引脚
      10. 7.1.10 安全
      11. 7.1.11 外设中断扩展 (PIE) 块
      12. 7.1.12 外部中断 (XINT1-XINT3)
      13. 7.1.13 内部零引脚振荡器、振荡器和 PLL
      14. 7.1.14 看门狗
      15. 7.1.15 外设时钟
      16. 7.1.16 低功耗模式
      17. 7.1.17 外设帧 0，1，2，3 (PFn)
      18. 7.1.18 通用输入/输出 (GPIO) 复用器
      19. 7.1.19 32 位 CPU 计时器 (0，1，2)
      20. 7.1.20 控制外设
      21. 7.1.21 串行端口外设
    2. 7.2 内存映射
    3. 7.3 寄存器映射
    4. 7.4 器件仿真寄存器
    5. 7.5 VREG/BOR/POR
      1. 7.5.1 片载电压稳压器 (VREG)
        1. 7.5.1.1 使用片上 VREG
        2. 7.5.1.2 禁用片载 VREG
      2. 7.5.2 片上加电复位 (POR) 和欠压复位 (BOR) 电路
    6. 7.6 系统控制
      1. 7.6.1 内部零引脚振荡器
      2. 7.6.2 晶体振荡器选项
      3. 7.6.3 基于 PLL 的时钟模块
      4. 7.6.4 输入时钟的损耗（NMI 看门狗功能）
      5. 7.6.5 CPU 看门狗模块
    7. 7.7 低功耗模式块
    8. 7.8 中断
      1. 7.8.1 外部中断
        1. 7.8.1.1 外部中断电子数据/定时
          1. 7.8.1.1.1 外部中断时序要求
          2. 7.8.1.1.2 外部中断开关特性
    9. 7.9 外设
      1. 7.9.1  控制律加速器 (CLA) 概述
      2. 7.9.2  模拟模块
        1. 7.9.2.1 模数转换器 (ADC)
          1. 7.9.2.1.1 特性
          2. 7.9.2.1.2 ADC 转换开始电子数据/定时
            1. 7.9.2.1.2.1 外部 ADC 转换启动开关特性
          3. 7.9.2.1.3 片载模数转换器 (ADC) 电子数据/定时
            1. 7.9.2.1.3.1 ADC 电气特性
            2. 7.9.2.1.3.2 ADC 电源模式
            3. 7.9.2.1.3.3 内部温度传感器
              1. 7.9.2.1.3.3.1 温度传感器系数
            4. 7.9.2.1.3.4 ADC 加电控制位时序
              1. 7.9.2.1.3.4.1 ADC 加电延迟
            5. 7.9.2.1.3.5 ADC 顺序模式时序和同步模式时序
        2. 7.9.2.2 ADC 多路复用器
        3. 7.9.2.3 比较器块
          1. 7.9.2.3.1 片载比较器 / DAC 电子数据/定时
            1. 7.9.2.3.1.1 比较器/DAC 的电气特性
      3. 7.9.3  详细说明
      4. 7.9.4  串行外设接口 (SPI) 模块
        1. 7.9.4.1 SPI 主模式电气数据/时序
          1. 7.9.4.1.1 SPI 主模式外部时序（时钟相位 = 0）
          2. 7.9.4.1.2 SPI 主模式外部时序（时钟相位 = 1）
        2. 7.9.4.2 SPI 从模式电气数据/时序
          1. 7.9.4.2.1 SPI 从模式外部时序（时钟相位 = 0）
          2. 7.9.4.2.2 SPI 从模式外部时序（时钟相位 = 1）
      5. 7.9.5  串行通信接口 (SCI) 模块
      6. 7.9.6  本地互连网络 (LIN)
      7. 7.9.7  增强型控制器局域网 (eCAN) 模块
      8. 7.9.8  内部集成电路 (I2C)
        1. 7.9.8.1 I2C 电气数据/时序
          1. 7.9.8.1.1 I2C 时序要求
          2. 7.9.8.1.2 I2C 开关特征
      9. 7.9.9  增强型 PWM 模块 (ePWM1/2/3/4/5/6/7)
        1. 7.9.9.1 ePWM 电气数据/时序
          1. 7.9.9.1.1 ePWM 时序要求
          2. 7.9.9.1.2 ePWM 开关特性
        2. 7.9.9.2 跳闸区输入时序
          1. 7.9.9.2.1 跳闸区域输入时序要求
      10. 7.9.10 高分辨率 PWM (HRPWM)
        1. 7.9.10.1 HRPWM 电气数据/时序
          1. 7.9.10.1.1 高分辨率 PWM 特性
      11. 7.9.11 增强型捕捉模块 (eCAP1)
        1. 7.9.11.1 eCAP 电气数据/时序
          1. 7.9.11.1.1 增强型捕捉 (eCAP) 时序要求
          2. 7.9.11.1.2 eCAP 开关特性
      12. 7.9.12 高分辨率捕捉 (HRCAP) 模块
        1. 7.9.12.1 HRCAP 电气数据/时序
          1. 7.9.12.1.1 高分辨率捕捉 (HRCAP) 时序要求
      13. 7.9.13 增强型正交编码器脉冲 (eQEP)
        1. 7.9.13.1 eQEP 电气数据/时序
          1. 7.9.13.1.1 增强型正交编码器脉冲 (eQEP) 时序要求
          2. 7.9.13.1.2 eQEP 开关特性
      14. 7.9.14 JTAG 端口
      15. 7.9.15 通用输入/输出 (GPIO) 多路复用器
        1. 7.9.15.1 GPIO 电气数据/时序
          1. 7.9.15.1.1 GPIO - 输出时序
            1. 7.9.15.1.1.1 通用输出开关特征
          2. 7.9.15.1.2 GPIO - 输入时序
            1. 7.9.15.1.2.1 通用输入时序要求
          3. 7.9.15.1.3 输入信号的采样窗口宽度
          4. 7.9.15.1.4 低功耗唤醒时序
            1. 7.9.15.1.4.1 空闲模式时序要求
            2. 7.9.15.1.4.2 空闲模式开关特性
            3. 7.9.15.1.4.3 待机模式时序要求
            4. 7.9.15.1.4.4 待机模式开关特征
            5. 7.9.15.1.4.5 停机模式时序要求
            6. 7.9.15.1.4.6 停机模式开关特征
  9. 8 应用、实施和布局
    1. 8.1 TI 参考设计
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件和开发支持工具命名规则
    2. 9.2 工具与软件
    3. 9.3 文档支持
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.14.4 60MHz SYSCLKOUT 下的闪存参数

参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
编程时间(1) 8K 扇区 250 2000(2) ms
4K 扇区 125 2000(2) ms
16 位字 50 μs
擦除时间(3) 8K 扇区 2 12(2) s
4K 扇区 2 12(2) s
IDDP(4) 擦除/编程周期内的 VDD 流耗 VREG 禁用 80 mA
IDDIOP(4) 擦除/编程周期内的 VDDIO 流耗 60 mA
IDDIOP(4) 擦除/编程周期内的 VDDIO 流耗 VREG 启用 120 mA
(1) 编程时间是最大器件频率下的值。此表中指示的编程时间仅适用于器件 RAM 中的所有必需代码/数据都可用并准备好进行编程的情况。编程时间包括闪存状态机的开销，但不包括将以下项传输到 RAM 的时间：
  • 使用闪存 API 对闪存进行编程的代码
  • 闪存 API 本身
  • 要进行编程的闪存数据
(2) 所提到的最大闪存参数对应于前 100 个编程和擦除周期。
(3) 当器件从 TI 出货时，片上闪存存储器处于一个被擦除状态。这样，当首次编辑器件时，在编程前无需擦除闪存存储器。然而，对于所有随后的编程操作，需要执行擦除操作。
(4) 室温下包括函数调用开销在内的典型参数，是在所有外设关闭时的参数。在整个闪存编程过程中保持电源稳定很重要。可想而知，闪存编程期间的器件电流消耗可能高于正常工作条件。如数据表“建议工作条件”中所述，使用的电源应始终确保 VMIN 位于电源轨上。擦除/编程过程中发生任何欠压保护或电源中断，都可能会损坏密码位置并永久锁定器件。不建议通过 USB 端口为目标板供电（在闪存编程期间），因为该端口可能无法响应编程过程中设置的电源需求。
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