ZHCSE98K October 2014 – February 2024 TMS320F28075 , TMS320F28075-Q1 , TMS320F28076
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
最小值 | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
模式 0 | ||||
tc(SDC)M0 | 周期时间,SDx_Cy | 40 | 256 个 SYSCLK 周期 | ns |
tw(SDCH)M0 | 脉冲持续时间,SDx_Cy 高电平 | 10 | tc(SDC)M0 – 10 | ns |
tsu(SDDV-SDCH)M0 | SDx_Cy 变为高电平之前 SDx_Dy 有效的设置时间 | 5 | ns | |
th(SDCH-SDD)M0 | SDx_Cy 变为高电平之后 SDx_Dy 等待的保持时间 | 5 | ns | |
模式 1 | ||||
tc(SDC)M1 | 周期时间,SDx_Cy | 80 | 256 个 SYSCLK 周期 | ns |
tw(SDCH)M1 | 脉冲持续时间,SDx_Cy 高电平 | 10 | tc(SDC)M1 – 10 | ns |
tsu(SDDV-SDCL)M1 | SDx_Cy 变为低电平之前 SDx_Dy 有效的设置时间 | 5 | ns | |
tsu(SDDV-SDCH)M1 | SDx_Cy 变为高电平之前 SDx_Dy 有效的设置时间 | 5 | ns | |
th(SDCL-SDD)M1 | SDx_Cy 变为低电平之后 SDx_Dy 等待的保持时间 | 5 | ns | |
th(SDCH-SDD)M1 | SDx_Cy 变为高电平之后 SDx_Dy 等待的保持时间 | 5 | ns | |
模式 2 | ||||
tc(SDD)M2 | 周期时间,SDx_Dy | 8 个 tc(SYSCLK) | 20 个 tc(SYSCLK) | ns |
tw(SDDH)M2 | 脉冲持续时间,SDx_Dy 高电平 | 10 | ns | |
tw(SDD_LONG_KEEPOUT)M2 | SDx_Dy 长脉冲持续保留时间,其中长脉冲不得落入所列出的最小值或最大值内。 长脉冲被定义为高或低脉冲,其是曼彻斯特位时钟周期的完整宽度。 对于 8 到 20 之间的任何整数,都必须满足此要求。 | (N * tc(SYSCLK)) – 0.5 | (N * tc(SYSCLK)) + 0.5 | ns |
tw(SDD_SHORT)M2 | 用于高或低脉冲的 SDx_Dy 短脉冲持续时间(SDD_SHORT_H 或 SDD_SHORT_L)。 短脉冲定义为高或低脉冲,其是曼彻斯特位时钟周期的一半宽度。 | tw(SDD_LONG)/2 – tc(SYSCLK) | tw(SDD_LONG)/2 + tc(SYSCLK) | ns |
tw(SDD_LONG_DUTY)M2 | SDx_Dy 长脉冲变化 (SDD_LONG_H – SDD_LONG_L) | – tc(SYSCLK) | tc(SYSCLK) | ns |
tw(SDD_SHORT_DUTY)M2 | SDx_Dy 短脉冲变化 (SDD_SHORT_H – SDD_SHORT_L) | – tc(SYSCLK) | tc(SYSCLK) | ns |
模式 3 | ||||
tc(SDC)M3 | 周期时间,SDx_Cy | 40 | 256 个 SYSCLK 周期 | ns |
tw(SDCH)M3 | 脉冲持续时间,SDx_Cy 高电平 | 10 | tc(SDC)M3 – 5 | ns |
tsu(SDDV-SDCH)M3 | SDx_Cy 变为高电平之前 SDx_Dy 有效的设置时间 | 5 | ns | |
th(SDCH-SDD)M3 | SDx_Cy 变为高电平之后 SDx_Dy 等待的保持时间 | 5 | ns |
当没有 GPIO 输入同步时,SDFM 时钟输入(SDx_Cy 引脚)直接对 SDFM 模块进行计时。这些输入端的任何干扰或振铃噪声都会破坏 SDFM 模块的运行。应对这些信号采取特殊的预防措施,以确保满足 SDFM 时序要求的干净且无噪声的信号。建议采取预防措施,例如对时钟驱动器的任何阻抗不匹配而导致的振铃进行串联终止,以及将走线与其他噪声信号隔离开来。
请参阅TMS320F2807x 实时 MCU 芯片勘误表 中的“SDFM:曼彻斯特模式(模式 2)在一些条件下不能产生正确的滤除结果”公告。