ZHCS889Q June 2007 – August 2022 TMS320F28232 , TMS320F28232-Q1 , TMS320F28234 , TMS320F28234-Q1 , TMS320F28235 , TMS320F28235-Q1 , TMS320F28332 , TMS320F28333 , TMS320F28334 , TMS320F28335 , TMS320F28335-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|
td(XCOH-XZCSL) | 延迟时间,XCLKOUT 高电平到区域芯片选择低电平有效的时间 | 1 | ns | |
td(XCOHL-XZCSH) | 延迟时间,XCLKOUT 高电平/低电平到芯片选择高电平无效的时间 | –1 | 0.5 | ns |
td(XCOH-XA) | 延迟时间,XCLKOUT 高电平到地址有效的时间 | 1.5 | ns | |
td(XCOHL-XWEL) | 延迟时间,XCLKOUT 高电平/低电平到XWEO,XWE1(3)低电平的时间 | 2 | ns | |
td(XCOHL-XWEH) | 延迟时间,XCLKOUT 高电平/低电平到XWEO,XWE1高电平的时间 | 2 | ns | |
td(XCOH-XRNWL) | 延迟时间,XCLKOUT 高电平到 XR/W 低电平的时间 | 1 | ns | |
td(XCOHL-XRNWH) | 延迟时间,XCLKOUT 高电平/低电平到 XR/W 高电平的时间 | –1 | 0.5 | ns |
ten(XD)XWEL | 使能时间,从XWE,XWE1低电平驱动数据总线的时间 | 0 | ns | |
td(XWEL-XD) | 延迟时间,XWE0,XWE1低电平有效后的数据有效时间 | 1 | ns | |
th(XA)XZCSH | 保持时间,区域芯片选择高电平无效之后地址有效时间 | (1) | ns | |
th(XD)XWE | 保持时间,XWE0,XWE1高电平无效之后写入数据有效时间 | TW – 2 (2) | ns | |
tdis(XD)XRNW | XR/W 高电平无效之后 DSP 释放数据总线的最长时间 | 4 | ns |
用于此示例的 XTIMING 寄存器参数:
XRDLEAD | XRDACTIVE | XRDTRAIL | USEREADY | X2TIMING | XWRLEAD | XWRACTIVE | XWRTRAIL | READYMODE |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
N/A(1) | N/A(1) | N/A(1) | 0 | 0 | ≥ 1 | ≥ 0 | ≥ 0 | N/A(1) |