ZHCS889Q June   2007  – August 2022 TMS320F28232 , TMS320F28232-Q1 , TMS320F28234 , TMS320F28234-Q1 , TMS320F28235 , TMS320F28235-Q1 , TMS320F28332 , TMS320F28333 , TMS320F28334 , TMS320F28335 , TMS320F28335-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1. 3.1 功能方框图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较
    1. 5.1 相关米6体育平台手机版_好二三四
  6. 6 终端配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 信号说明
  7. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级 - 汽车
    3. 7.3  ESD 等级 - 商用
    4. 7.4  建议运行条件
    5. 7.5  功耗摘要
      1. 7.5.1 SYSCLKOUT 150MHz 时 TMS320F28335/F28235 电源引脚的流耗
      2. 7.5.2 SYSCLKOUT 为 150MHz 时TMS320F28334/F28234 电源引脚的流耗
      3. 7.5.3 减少电流消耗
      4. 7.5.4 电流消耗图
    6. 7.6  电气特性
    7. 7.7  热阻特征
      1. 7.7.1 PGF 封装
      2. 7.7.2 PTP 封装
      3. 7.7.3 ZHH 封装
      4. 7.7.4 ZAY 封装
      5. 7.7.5 ZJZ 封装
    8. 7.8  散热设计注意事项
    9. 7.9  时序和开关特性
      1. 7.9.1 时序参数符号
        1. 7.9.1.1 定时参数的通用注释
        2. 7.9.1.2 测试负载电路
        3. 7.9.1.3 器件时钟表
          1. 7.9.1.3.1 计时和命名规则（150MHz 器件）
          2. 7.9.1.3.2 计时和命名规则（100MHz 器件）
      2. 7.9.2 电源时序
        1. 7.9.2.1 电源管理和监控电路解决方案
        2. 7.9.2.2 复位 (XRS) 序要求
      3. 7.9.3 时钟要求和特性
        1. 7.9.3.1 输入时钟频率
        2. 7.9.3.2 XCLKIN时序要求- PLL 被启用
        3. 7.9.3.3 XCLKIN时序要求- PLL 被禁用
        4. 7.9.3.4 XCLKOUT 开关特征（旁路或启用 PLL）
        5. 7.9.3.5 时序图
      4. 7.9.4 外设
        1. 7.9.4.1 通用输入/输出（GPIO）
          1. 7.9.4.1.1 GPIO - 输出时序
            1. 7.9.4.1.1.1 通用输出开关特性
          2. 7.9.4.1.2 GPIO - 输入时序
            1. 7.9.4.1.2.1 通用输入时序要求
          3. 7.9.4.1.3 输入信号的采样窗口宽度
          4. 7.9.4.1.4 低功耗模式唤醒时序
            1. 7.9.4.1.4.1 空闲模式时序要求
            2. 7.9.4.1.4.2 空闲模式开关特性
            3. 7.9.4.1.4.3 空闲模式时序图
            4. 7.9.4.1.4.4 待机模式时序要求
            5. 7.9.4.1.4.5 待机模式开关特征
            6. 7.9.4.1.4.6 待机模式时序要求
            7. 7.9.4.1.4.7 停机模式时序要求
            8. 7.9.4.1.4.8 HALT 模式开关特性
            9. 7.9.4.1.4.9 停机模式时序图
        2. 7.9.4.2 增强型控制外设
          1. 7.9.4.2.1 增强型脉宽调制器 (ePWM) 时序
            1. 7.9.4.2.1.1 ePWM 时序要求
            2. 7.9.4.2.1.2 ePWM 开关特征
          2. 7.9.4.2.2 跳变区输入时序
            1. 7.9.4.2.2.1 跳闸区域输入时序要求
          3. 7.9.4.2.3 高分辨率 PWM 时序
            1. 7.9.4.2.3.1 在 SYSCLKOUT=(60150-150300MHz) 时，高分辨率 PWM 特性
          4. 7.9.4.2.4 增强型捕捉 (eCAP) 时序
            1. 7.9.4.2.4.1 增强型捕捉 (eCAP) 时序要求
            2. 7.9.4.2.4.2 eCAP 开关特征
          5. 7.9.4.2.5 增强型正交编码器脉冲 (eQEP) 时序
            1. 7.9.4.2.5.1 增强型正交编码器脉冲 (eQEP) 时序要求
            2. 7.9.4.2.5.2 eQEP 开关特性
          6. 7.9.4.2.6 ADC 转换开始时序
            1. 7.9.4.2.6.1 外部 ADC 转换开始开关特性
            2. 7.9.4.2.6.2 ADCSOCAO 或者 ADCSOCBO 时序
        3. 7.9.4.3 外部中断时序
          1. 7.9.4.3.1 外部中断时序要求
          2. 7.9.4.3.2 外部中断开关特征
          3. 7.9.4.3.3 外部中断时序要求
        4. 7.9.4.4 I2C 电气特性和时序
          1. 7.9.4.4.1 I2C 时序
        5. 7.9.4.5 串行外设接口 (SPI) 模块
          1. 7.9.4.5.1 主模式时序
            1. 7.9.4.5.1.1 SPI 主模式外部时序（时钟相位 = 0）
            2. 7.9.4.5.1.2 SPI 主模式外部时序（时钟相位 = 1）
          2. 7.9.4.5.2 从模式时序
            1. 7.9.4.5.2.1 SPI 从模式外部时序（时钟相位 = 0）
            2. 7.9.4.5.2.2 SPI 从模式外部时序（时钟相位 = 1）
        6. 7.9.4.6 多通道缓冲串行端口 (McBSP) 模块
          1. 7.9.4.6.1 McBSP 传输和接收时序
            1. 7.9.4.6.1.1 McBSP 时序要求
            2. 7.9.4.6.1.2 McBSP 开关特征
          2. 7.9.4.6.2 McBSP 作为 SPI 主器件或从器件时序
            1. 7.9.4.6.2.1 McBSP 作为 SPI 主器件或从器件时的时序要求（CLKSTP=10b，CLKXP=0）
            2. 7.9.4.6.2.2 McBSP 作为 SPI 主控或者受控开关特性 (CLKSTP=10b，CLKXP=0)
            3. 7.9.4.6.2.3 McBSP 作为 SPI 主器件或从器件时的时序要求（CLKSTP=11b，CLKXP=0）
            4. 7.9.4.6.2.4 McBSP 作为 SPI 主控或者受控开关特性 (CLKSTP= 11b，CLKXP= 0)
            5. 7.9.4.6.2.5 McBSP 作为 SPI 主器件或从器件时的时序要求（CLKSTP= 10b，CLKXP= 1）
            6. 7.9.4.6.2.6 McBSP 作为 SPI 主控或者受控开关特性 (CLKSTP= 10b，CLKXP= 1)
            7. 7.9.4.6.2.7 McBSP 作为 SPI 主器件或从器件时的时序要求（CLKSTP= 11b，CLKXP= 1）
            8. 7.9.4.6.2.8 McBSP 作为 SPI 主器件或从器件开关特性（CLKSTP= 11b，CLKXP= 1）
      5. 7.9.5 无信号缓冲情况下 MCU 与 JTAG 调试探针的连接
      6. 7.9.6 外部接口 (XINTF) 时序
        1. 7.9.6.1 USEREADY = 0
        2. 7.9.6.2 同步模式 (USEREADY=1，READYMODE=0)
        3. 7.9.6.3 异步模式 (USEREADY=1，READYMODE=1)
        4. 7.9.6.4 XINTF 信号与 XCLKOUT 一致
        5. 7.9.6.5 外部接口读取时序
          1. 7.9.6.5.1 外部存储器接口读取时序要求
          2. 7.9.6.5.2 外部内存接口读取开关特性
        6. 7.9.6.6 外部接口写入时序
          1. 7.9.6.6.1 外部存储器接口写入开关特性
        7. 7.9.6.7 带有一个外部等待状态的外部接口读取准备就绪时序
          1. 7.9.6.7.1 外部接口读取开关特性（读取准备就绪，1 个等待状态）
          2. 7.9.6.7.2 外部接口读取时序要求（读取准备就绪，1 个等待状态）
          3. 7.9.6.7.3 同步 XREADY 时序要求（读取准备就绪，1 个等待状态）
          4. 7.9.6.7.4 异步 XREADY 时序要求（读取准备就绪，1 个等待状态）
        8. 7.9.6.8 带有一个外部等待状态的外部接口写入准备就绪时序
          1. 7.9.6.8.1 外部接口写入开关特性（写入准备就绪，1 个等待状态）
          2. 7.9.6.8.2 同步 XREADY 时序要求（写入准备就绪，1 个等待状态）
          3. 7.9.6.8.3 异步 XREADY 时序要求（写入准备就绪，1 个等待状态）
        9. 7.9.6.9 XHOLD 和 XHOLDA 时序
          1. 7.9.6.9.1 XHOLD/ XHOLDA 时序要求 (XCLKOUT = XTIMCLK)
          2. 7.9.6.9.2 XHOLD/XHOLDA时序要求 (XCLKOUT = 1/2 XTIMCLK)
      7. 7.9.7 闪存定时
        1. 7.9.7.1 A 和 S 温度材料的闪存耐久性
        2. 7.9.7.2 Q 温度材料的闪存耐久性
        3. 7.9.7.3 150MHz SYSCLKOUT 上的闪存参数：
        4. 7.9.7.4 闪存 / OTP 访问时序
        5. 7.9.7.5 闪存数据保持持续时间
    10. 7.10 片载模数转换器
      1. 7.10.1 ADC 电气特性（在推荐的工作条件下测得）
      2. 7.10.2 ADC 加电控制位时序
        1. 7.10.2.1 ADC 加电延迟
        2. 7.10.2.2 不同 ADC 配置的典型电流消耗（在 25MHz ADCCLK 条件下）
      3. 7.10.3 定义
      4. 7.10.4 顺序采样模式（单通道） (SMODE = 0)
        1. 7.10.4.1 顺序采样模式时序
      5. 7.10.5 同步采样模式（双通道）(SMODE=1)
        1. 7.10.5.1 同步采样模式时序
      6. 7.10.6 详细说明
    11. 7.11 F2833x 器件和 F2823x 器件之间的迁移
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 简要说明
      1. 8.1.1  C28x CPU
      2. 8.1.2  内存总线（哈弗总线架构）
      3. 8.1.3  外设总线
      4. 8.1.4  实时 JTAG 和分析
      5. 8.1.5  外部接口(XINTF)
      6. 8.1.6  闪存
      7. 8.1.7  M0，M1 SARAM
      8. 8.1.8  L0, L1, L2, L3, L4, L5, L6, L7, H0, H1, H2, H3, H4, H5SARAM
      9. 8.1.9  引导 ROM
        1. 8.1.9.1 引导加载器使用的外设引脚
      10. 8.1.10 安全性
      11. 8.1.11 外设中断扩展 (PIE) 块
      12. 8.1.12 外部中断 (XINT1-XINT7，XNMI)
      13. 8.1.13 振荡器和锁相环 (PLL)
      14. 8.1.14 看门狗
      15. 8.1.15 外设时钟
      16. 8.1.16 低功耗模式
      17. 8.1.17 外设帧 0，1，2，3 (PFn)
      18. 8.1.18 通用输入/输出 (GPIO) 复用器
      19. 8.1.19 32 位 CPU 计时器 (0，1，2)
      20. 8.1.20 控制外设
      21. 8.1.21 串行端口外设
    2. 8.2 外设
      1. 8.2.1  DMA 概述
      2. 8.2.2  32 位 CPU 计时器 0，CPU 计时器 1，CPU 计时器 2
      3. 8.2.3  增强型 PWM 模块
      4. 8.2.4  高分辨率 PWM (HRPWM)
      5. 8.2.5  增强型 CAP 模块
      6. 8.2.6  增强型 QEP 模块
      7. 8.2.7  模数转换器 (ADC) 模块
        1. 8.2.7.1 如果 ADC 未被使用，ADC 连接
        2. 8.2.7.2 ADC 寄存器
        3. 8.2.7.3 ADC 校准
      8. 8.2.8  多通道缓冲串行端口 (McBSP) 模块
      9. 8.2.9  增强型控制器局域网 (eCAN) 模块（eCAN-A 和 eCAN-B）
      10. 8.2.10 串行通信接口 (SCI) 模块 (SCI-A，SCI-B，SCI-C)
      11. 8.2.11 串行外设接口 (SPI) 模块（SPI-A）
      12. 8.2.12 内部集成电路 (I2C)
      13. 8.2.13 GPIO MUX
      14. 8.2.14 外部接口 (XINTF)
    3. 8.3 内存映射
    4. 8.4 寄存器映射
      1. 8.4.1 器件仿真寄存器
    5. 8.5 中断
      1. 8.5.1 外部中断
    6. 8.6 系统控制
      1. 8.6.1 OSC 和 PLL 块
        1. 8.6.1.1 外部基准振荡器时钟选项
        2. 8.6.1.2 基于 PLL 的时钟模块
        3. 8.6.1.3 输入时钟损失
      2. 8.6.2 看门狗块
    7. 8.7 低功率模式块
  9. 9 应用、实现和布局
    1. 9.1 TI 参考设计
  10. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件和开发支持工具命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 Electrostatic Discharge Caution
    8. 10.8 术语表
  11. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装重新设计详情
    2. 11.2 封装信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • ZJZ|176
  • PGF|176
  • PTP|176
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5.3 减少电流消耗

2833x 和 2823x MCU 具有降低器件电流消耗的方法。由于每个外设单元都有单独的时钟启用位，可通过关闭任何未在指定应用中使用的外设模块的时钟来减少电流消耗。此外，可利用这三个低功耗模式中的任何一个来进一步减少电流消耗。表 7-1表明了由关闭时钟所实现的流耗减少的典型值。

表 7-1 各种外设的典型电流消耗 (150 MHz 时)
外设
模块(1)		IDD 电流
减少/模块 (mA)(2)
ADC8(3)
IC22.5
eQEP5
ePWM5
eCAP2
SCI5
SPI4
eCAN8
McBSP7
CPU 计时器2
XINTF10(4)
DMA10
FPU15
(1) 复位时，所有外设时钟被禁用。只有在外设时钟被打开后，才可对外设寄存器进行写入/读取操作。
(2) 对于具有多个实例的外设，按照模块引用电流。例如，为 ePWM 所引出的 5mA 电流数是用于一个 ePWM 模块。
(3) 这个数字代表了 ADC 模块数字部分汲取的电流。关闭到 ADC 模块的时钟也将消除取自 ADC (IDDA18) 模拟部分汲取的电流。
(4) 运行 XINTF 总线对 IDDIO 电流有明显的影响。基于以下原因，这将大大增加此电流：
  • 多少个地址/数据引脚从一个周期切换到另一个
  • 它们切换的速度有多快
  • 使用的接口是 16 位还是 32 位以及
  • 这些引脚上的负载。

下面是进一步减少流耗的其它方法：

  • 如果代码运行出 SARAM，闪存模块可被断电。这将使 VDD3VFL电源轨的电流减少 35mA（典型值）
  • 当 XCLKOUT 被关闭时，IDDIO流耗减少了 15mA（典型值）。
  • 通过禁用承担输出功能引脚上的上拉电阻器和 XINTF 引脚的上拉电阻器可大大节省 VDDIO。通过这样可以节省 35 mW（典型值）。
  • 若要在低功耗模式 (LPM) 下实现超低的 VDDA 电流消耗，请参阅 TMS320x2833x、TMS320x2823x 实时微控制器技术参考手册 中相应的模拟章节，以确保每个模块也断电。

基线 IDD电流（此电流是指当内核在无外设被启用的情况下执行一个仿真环路时的电流）为 165mA（典型值）。为了达到一个指定应用所需的 IDD电流，外设（由应用启用）汲取的电流必须被添加到基线 IDD电流上。
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