ZHCSE97K August 2014 – February 2024 TMS320F28374S , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376S , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378S , TMS320F28379S
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | ||
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编程时间(1) | 128 数据位 + 16 ECC 位 | 40 | 300 | µs | ||
8KW 扇区 | 90 | 180 | ms | |||
32KW 扇区 | 360 | 720 | ms | |||
擦除时间(2)(< 25 个周期) | 8kW 或 32KW 扇区 | 30 | 55 | ms | ||
擦除时间(2)(< 1000 个周期) | 8kW 或 32KW 扇区 | 40 | 350 | |||
擦除时间(2)2000 个周期) | 8kW 或 32KW 扇区 | 50 | 600 | ms | ||
20k 周期下的擦除时间(2) | 8kW 或 32KW 扇区 | 110 | 4000 | |||
Nwec | 写入/擦除周期(每个扇区) | 20000 | 周期 | |||
Nwec | 写入/擦除周期,适用于整个闪存(合并所有扇区)(3) | 100000 | 周期 | |||
tretention | 数据保留持续时间 (TJ = 85°C) | 20 | 年 |
主阵列闪存编程必须与 64 位地址边界对齐,并且每个 64 位字在每个写/擦除周期只能编程一次。有关更多详细信息,请参阅TMS320F2837xS 实时 MCU 器件勘误表 中的“闪存:最小编程字大小”公告。