ZHCSE97K August 2014 – February 2024 TMS320F28374S , TMS320F28375S , TMS320F28375S-Q1 , TMS320F28376S , TMS320F28377S , TMS320F28377S-Q1 , TMS320F28378S , TMS320F28379S
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
最小值(1) | 最大值 | 单位 | ||
---|---|---|---|---|
模式 0 | ||||
tc(SDC)M0 | 周期时间,SDx_Cy | 10 个 SYSCLK 周期 | 256 个 SYSCLK 周期 | ns |
tw(SDCHL)M0 | 脉冲持续时间,SDx_Cy 高电平/低电平 | 4 个 SYSCLK 周期 | 6 个 SYSCLK 周期 | ns |
tw(SDDHL)M0 | 脉冲持续时间,SDx_Dy 高电平/低电平 | 4 个 SYSCLK 周期 | ns | |
tsu(SDDV-SDCH)M0 | SDx_Cy 变为高电平之前 SDx_Dy 有效的设置时间 | 2 个 SYSCLK 周期 | ns | |
th(SDCH-SDD)M0 | SDx_Cy 变为高电平之后 SDx_Dy 等待的保持时间 | 2 个 SYSCLK 周期 | ns | |
模式 1 | ||||
tc(SDC)M1 | 周期时间,SDx_Cy | 20 个 SYSCLK 周期 | 256 个 SYSCLK 周期 | ns |
tw(SDCH)M1 | 脉冲持续时间,SDx_Cy 高电平 | 4 个 SYSCLK 周期 | 6 个 SYSCLK 周期 | ns |
tw(SDDHL)M1 | 脉冲持续时间,SDx_Dy 高电平/低电平 | 4 个 SYSCLK 周期 | ns | |
tsu(SDDV-SDCL)M1 | SDx_Cy 变为低电平之前 SDx_Dy 有效的设置时间 | 2 个 SYSCLK 周期 | ns | |
tsu(SDDV-SDCH)M1 | SDx_Cy 变为高电平之前 SDx_Dy 有效的设置时间 | 2 个 SYSCLK 周期 | ns | |
th(SDCL-SDD)M1 | SDx_Cy 变为低电平之后 SDx_Dy 等待的保持时间 | 2 个 SYSCLK 周期 | ns | |
th(SDCH-SDD)M1 | SDx_Cy 变为高电平之后 SDx_Dy 等待的保持时间 | 2 个 SYSCLK 周期 | ns | |
模式 2 | ||||
tc(SDD)M2 | 周期时间,SDx_Dy | 选项不可用 | ||
tw(SDDH)M2 | 脉冲持续时间,SDx_Dy 高电平 | |||
模式 3 | ||||
tc(SDC)M3 | 周期时间,SDx_Cy | 10 个 SYSCLK 周期 | 256 个 SYSCLK 周期 | ns |
tw(SDCHL)M3 | 脉冲持续时间,SDx_Cy 高电平 | 4 个 SYSCLK 周期 | 6 个 SYSCLK 周期 | ns |
tw(SDDHL)M3 | 脉冲持续时间,SDx_Dy 高电平/低电平 | 4 个 SYSCLK 周期 | ns | |
tsu(SDDV-SDCH)M3 | SDx_Cy 变为高电平之前 SDx_Dy 有效的设置时间 | 2 个 SYSCLK 周期 | ns | |
th(SDCH-SDD)M3 | SDx_Cy 变为高电平之后 SDx_Dy 等待的保持时间 | 2 个 SYSCLK 周期 | ns |
SDFM 限定的 GPIO(3 样片)模式防止 SDFM 模块因 SDx_Cy 引脚上偶尔随机产生的噪声干扰而损坏,这些噪声可能导致比较器误跳变和滤波器输出。有关更多详细信息,请参考TMS320F2837xS 实时 MCU 器件勘误表 中“SDFM:在嘈杂条件下使用 SDFM 时需谨慎”使用说明。
SDFM 限定的 GPIO(3 样片)模式对持续违反上述时序要求的情况不提供保护。时序违规将损坏与违反要求的数据位数成正比的数据。