ZHCSC63P December 2013 – February 2024 TMS320F28374D , TMS320F28375D , TMS320F28376D , TMS320F28377D , TMS320F28377D-Q1 , TMS320F28378D , TMS320F28379D , TMS320F28379D-Q1
PRODUCTION DATA
片上闪存与 CPU 紧密集成,允许通过 128 位宽的预取读取和流水线缓冲器直接从闪存执行代码。序列代码的闪存性能等同于从 RAM 中执行。考虑到不连续性,相对于从 RAM 中执行的代码,大多数应用的运行效率约为 80%。这种闪存效率让设计人员在从上一代 MCU 迁移时将性能提高了 2 倍。
该器件还具有用于双代码安全模块 (DCSM) 的 OTP(一次性可编程)扇区,该扇区在编程后无法擦除。
表 6-4 显示了不同频率下所需的最低闪存等待状态。节 6.9.4.1显示了闪存参数。
CPUCLK (MHz) | 最低等待状态(1) | |
---|---|---|
外部振荡器或晶体 | INTOSC1 或 INTOSC2 | |
150 < CPUCLK ≤ 200 | 145 < CPUCLK ≤ 194 | 3 |
100 < CPUCLK ≤ 150 | 97 < CPUCLK ≤ 145 | 2 |
50 < CPUCLK ≤ 100 | 48 < CPUCLK ≤ 97 | 1 |
CPUCLK ≤ 50 | CPUCLK ≤ 48 | 0 |